Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/73529
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Hydrogen Treatment of Gold Contact on Silicon
Other Titles Воднева обробка золотого контакту на кремнії
Authors Vasiljev, A.G.
Kozonushchenko, О.I.
Vasyliev, T.A.
Zhuravel, V.V.
Doroshenko, T.P.
ORCID
Keywords р-кремній
воднева обробка
водень
золотий контакт
дифузія
питомий опір
р-silicon
hydrogen treatment
hydrogen
gold contact
diffusion
resistivity
Type Article
Date of Issue 2019
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/73529
Publisher Sumy State University
License
Citation Hydrogen Treatment of Gold Contact on Silicon [Текст] = Воднева обробка золотого контакту на кремнії / A.G. Vasiljev, O.I. Kozonushchenko, T.A. Vasyliev [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 3. - 03003. - DOI: 10.21272/jnep.11(3).03003
Abstract Зразком для досліджень була пластина р-кремнію товщиною 0.35 мм. До протилежних поверхонь p-кремнієвого зразка було нанесено два золотих плівкові контакти товщиною 50 нм. Для виготовлення золотого плівкового контакту використано методи прямого підігріву контакту в вольфраму човні. Поверхня кремнієвої пластини була активована для відкладення золота шляхом занурення зразків у 0.5 % розчин плавикової кислоти. Після цього кремнієву пластину промили дистильованою водою, висушили і помістили в контейнер для субстратів. Після відкладення золотих плівкових контактів пластину p-кремнію розрізали на декілька зразків. Водневій обробці було піддано лише один контакт за допомогою електролізу в 10 % водяному розчині H2SO4. Золотий контакт був катодом, а графітовий електрод був анодом. Другий золотий плівковий контакт був ізольований під час електролізу. Електроліз тривав 6 хвилин. Щільність струму під час електролізу складала 117.5 А/м2. Оброблені воднем p-кремнієві зразки з золотими контактами зберігалися в кімнатних умовах. Досліджено часову залежність вольт-амперної характеристики зразків. Опір золотого плівкового контакту збільшився в перші кілька годин після водневої обробки. Але потім, протягом тижня після цього, опір золотого плівкового контакту постійно зменшувався. Протягом подальшого тижня опір золотого плівкового контакту не мінявся. Насиченість воднем золотого плівкового контакту викликала значне зниження опору золотого контакту. Після водневої обробки та витримки в кімнатних умовах остаточний опір золотого плівкового контакту знизився майже в 1.5 рази у порівнянні з опором контакту до водневої обробки.
Plate of p-silicon of 0.35 mm thickness was the sample of present studies. Two gold film contacts of 50 nm thickness were deposited on the opposite surfaces of p-silicon sample. For the manufacturing of gold film contacts the method of direct contact heating in a tungsten boat was used. The surface of the silicon plate was activated before the deposition of gold by dipping the samples into a 0.5 % solution of hydrofluoric acid. The silicon wafer was then washed with distilled water, dried and placed in a container for substrates. After deposition of the gold film contact, the plate of p-silicon was cut in several samples. The hydrogen treatment of only one gold film contact was executed by means of electrolysis in 10 % water solution of H2SO4. The gold contact was the cathode and the graphite electrode was the anode. The second gold film contact was isolated during the electrolysis. The electrolysis lasted for 6 min. The current density during electrolysis was 117.5 A/m2. The p-silicon samples with gold contacts processed by hydrogen were stored at room conditions. The time dependence of the volt-ampere characteristics of the samples was investigated. The resistance of the gold film contact increased in the first few hours after hydrogen processing. But then, during the week after hydrogen treatment, the resistance of the gold film contact constantly diminished. During the next week, the resistance of the gold film contact did not change. The hydrogen saturation of the gold film contact caused the significant reduction of the resistance of the gold contact. After treatment and exposure at room conditions, the final resistance of the gold film contact decreased by almost 1.5 times in comparison with the contact resistance before hydrogen treatment.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
Canada Canada
1
China China
1
France France
1
Germany Germany
27688
Greece Greece
3157
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
12656151
Ireland Ireland
202161
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
788
Spain Spain
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
90143445
United Kingdom United Kingdom
1313443
United States United States
154974593
Unknown Country Unknown Country
4240217
Vietnam Vietnam
3159

Downloads

Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
1
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
12656147
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1010398
Unknown Country Unknown Country
90143444
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Vasiljev_jnep_11_3.pdf 260,31 kB Adobe PDF 103809995

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.