Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/73635
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Surface-barrier Structures Au/n-CdS: Fabrication and Electrophysical Properties
Other Titles Поверхнево-бар’єрні структури Au/n-CdS: створення та електрофізичні властивості
Authors Petrus, R.
Ilchuk, H.
Kashuba, A.
Semkiv, I.
Zmiiovska, E.
Honchar, F.
Lys, R.
Keywords метод магнетронного напилення
тонкі плівки
CdS
бар’єр Шотткі
фотопровідність
magnetron sputtering
thin films
schottky barrier
photoconductivity
Type Article
Date of Issue 2019
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/73635
Publisher Sumy State University
License
Citation Surface-barrier Structures Au/n-CdS: Fabrication and Electrophysical Properties [Текст] = Поверхнево-бар'єрні структури Au/n-CdS: створення та електрофізичні властивості / R. Petrus, H. Ilchuk, A. Kashuba [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 3. - 03020. - DOI: 10.21272/jnep.11(3).03020.
Abstract Представлено результати дослідження електрофізичних властивостей поверхнево-бар’єрних структур (ПБС) Au/n-CdS, одержаних ВЧ магнетронним розпиленням. Встановлено, що плівки кристалізуються в просторовій групі P63mc. Приводяться результати дослідження вольт-амперних характеристик (ВАХ) для неосвітлених та освітлених плівок. На основі поведінки ВАХ розраховано коефіцієнт ідеальності, висоту потенціального бар'єра зі сторони металу, струм насичення, послідовний опір структури, коефіцієнт випрямлення та висоту вбудованого потенціалу для темнової та освітленої структури. Встановлено, що коефіцієнт випрямлення в процесі освітлення ПБС Au/n-CdS імітатором сонячного випромінювання (1000 Вт/м2) зростає у порівнянні з темновою ВАХ від 3 до 22. Домінуючим механізмом переносу заряду, який встановлюється з темнових I-V характеристик напруг прямого зсуву, є багатоступеневі тунельні та рекомбінаційні процеси із залученням поверхневих станів на металургійний інтерфейс Au/n-CdS. Для освітленої прямої ВАХ за зміщень ˂ 0,6 В переважає тунельнорекомбінаційний механізм перенесення заряду, а за зміщень > 0.6 В – зростає внесок механізму тунелювання. При зворотному зміщені для темнової та освітленої ВАХ за зміщень ˂ 0,3 B домінуючим механізмом струмопроходження є тунелювання носіїв заряду або ж струм, обмежений просторовим зарядом у режимі насичення швидкості, а за зміщень > 0,3 B – струм, обмежений просторовим зарядом в режимі рухливості. Результати дослідження фотопровідності (ФП) дозволили оцінити пропускну межу та ширину забороненої зони отриманої плівки.
The results of the electrophysical properties study of Au/n-CdS surface-barrier structures (SBS) obtained by radio frequency (RF) magnetron sputtering are presented. It was established that CdS films crystallize in the space group P63mc. The results of I-V characteristics investigation for films in the dark and under illumination are presented. The ideality factor, the potential barrier height on the metal contact, the saturation current, the resistivity, the rectification factor and the built-in potential of the structure in the dark and under illumination are calculated based on the behavior of the I-V characteristic. In the process of illumination by a solar radiation simulator of the structure from the side of Au, the rectification factor k increases from 3 to 22 in comparison with the dark I-V characteristic. The multistage tunneling and recombination processes with the involvement of the surface states at the metallurgical Au/n-CdS interface is a dominant mechanism of charge transfer which established from the dark I-V characteristics of the forward-bias voltages. For the illuminated I-V characteristics, for biases ˂ 0.6 V the tunneling and recombination mechanisms of the charge transport are dominant, and for biases > 0.6 V, the contribution of the tunneling mechanism increases. At reverse voltages for the dark and illuminated I-V characteristics, for biases ˂ 0.3 V the dominant mechanism of charge transport is tunneling of charge carriers or currents confined by the space charge in the saturation mode of the carrier rate, and for biases > 0.3 V – currents confined by the space charge in the mobility mode. From the photoconductivity (PC) investigation, the band gap and absorption dependencies of the fabricated film were established.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Chile Chile
6883
China China
1
Greece Greece
1860
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
186
Sweden Sweden
1
Taiwan Taiwan
1
Ukraine Ukraine
169
United Kingdom United Kingdom
929
United States United States
1859
Unknown Country Unknown Country
12
Vietnam Vietnam
1862

Downloads

Ukraine Ukraine
170
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1
Unknown Country Unknown Country
9
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Petrus_jnep_11_3.pdf 548,19 kB Adobe PDF 182

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.