Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/75041
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Density of Surface States in 3D Topological Insulators in the Presence of Magnetic Field with Hexagonal Warping Effect
Other Titles Щільність поверхневих станів в 3D топологічних ізоляторах у присутності магнітного поля з урахуванням гексагональних спотворень решітки
Authors Fedulov, I.N.
ORCID
Keywords щільність поверхневих станів
топологічний ізолятор
спін-орбітальна взаємодія
2D електронний газ
взаємодія Rashba
магнітне поле
гексагональний ефект викривлення
density of surface states
topological insulator
spin-orbit interaction
2D electron gas
rashba’s interaction
magnetic field
hexagonal warping effect
Type Article
Date of Issue 2019
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/75041
Publisher Sumy State University
License
Citation Fedulov, I.N. Density of Surface States in 3D Topological Insulators in the Presence of Magnetic Field with Hexagonal Warping Effect [Текст] = Щільність поверхневих станів в 3D топологічних ізоляторах у присутності магнітного поля з урахуванням гексагональних спотворень решітки / I.N. Fedulov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 5. - 05014. - DOI: 10.21272/jnep.11(5).05014.
Abstract Описано поведінку щільності поверхневих станів (DOS) в 3D топологічних ізоляторах Rashba-типу у присутності статичного магнітного поля. Враховується вплив гексагонального ефекту викривлення, властивого другому поколінню топологічного ізолятора, виконаного на основі Bi2Se3 і Bi2Te3. У роботі запропоновано метод чисельного знаходження DOS, що враховує вплив зовнішнього магнітного поля. Ми показали, що поведінка DOS в цьому топологічному ізоляторi має якісні відмінності від поведінки 2D електронного газу зі спін-орбітальною взаємодією Rashba-типу без гексагонального ефекту викривлення. Результати нашої роботи показали, що вже у випадку досить слабких полів замість очікуваного зростання DOS зі збільшенням прикладеного магнітного поля спостерігається її зменшення. Оцінки порогової величини поля дають порядок 1-10 Гс.
The behavior of the density of surface states (DOS) in 3D topological insulators of Rashba-type in the presence of static magnetic field is described in the paper. The influence of the hexagonal warping effect which is inherent to second generation of the topological insulator made on the basis of Bi2Se3 and Bi2Te3 is taken into account. In our work, a method is proposed for numerically determining the DOS, taking into account the influence of an external magnetic field. We have shown that the behavior of the DOS in these topological insulators has the qualitative differences from the behavior of 2D electron gas with spin-orbit interaction of Rashba-type without hexagonal warping effect. The results of our work have shown that in case of sufficiently weak fields, instead of the expected increase in the DOS with increasing applied magnetic field, there is observed its decrease. Estimated threshold values of the field are of the order of 1-10 G.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Argentina Argentina
1
China China
1
Greece Greece
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
Ireland Ireland
656
Lithuania Lithuania
1
Pakistan Pakistan
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
13600
United Kingdom United Kingdom
5025
United States United States
81044
Unknown Country Unknown Country
7
Vietnam Vietnam
328

Downloads

Israel Israel
1
Lithuania Lithuania
1
Pakistan Pakistan
1317
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
22173
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
81043
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Fedulov_jnep_5_2019.pdf 561.23 kB Adobe PDF 104539

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.