Physics and Technology of Heterosystems with Films of Germanium and Germanium with Gallium

Abstract

Термічним осадженням у вакуумі на підкладках арсеніду галію отримані тонкі плівки германію і германію з 1,05 % галію. Товщина плівок була 1 мкм, товщина підкладок 300 мкм, швидкість росту плівок була 1,75 Å/с. Дослідження проведені методами профілографії поверхні плівок, спектроскопії поглинання і електровідбивання світла. В плівках і на межі поділу визначали ширину забороненої зони, параметри уширення спектру, час енергетичної релаксації збуджених світлом носіїв заряду і механічні напруження. Виявлено додаткову межу поділу германій-галій. Напруження розтягу на ній 6,8·108 Па були більшими напружень стиснення 2,6·108 Па на межі поділу плівка-підкладка.

Thin films of germanium and germanium with 1.05 % gallium are prepared by thermal deposition in vacuum on gallium arsenide substrates. The thickness of the films was 1 µm, the thickness of the substrates was 300 µm, the growth rate of the films was 1.75 Å/s. The studies were carried out by methods of profilography of the film surface, absorption spectroscopy and electroreflectance of light. In the films and at the interface, the band gap, the spectral broadening parameters, the energy relaxation time of the lightexcited charge carriers, and the mechanical stresses were determined. The additional germanium-gallium interface boundary has been identified. The tensile stresses 6.8·108 Pa on it were greater than the compressive stresses 2.6·108 Pa at the film-substrate interface.