Напівпровідникові діоди в інтегрованій мікроелектроніці: основи роботи та конструктивно-технологічні параметри

Костян, М.О.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85587

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Напівпровідникові діоди в інтегрованій мікроелектроніці: основи роботи та конструктивно-технологічні параметри
Authors	Костян, М.О.
ORCID
Keywords	напівпровідниковий діод діод шотткі світловипромінюючий діод вольт-амперна характеристика
Type	Bachelous Paper
Date of Issue	2021
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85587
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Костян, М.О. Напівпровідникові діоди в інтегрованій мікроелектроніці: основи роботи та конструктивно-технологічні параметри [Текст]: робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра: спец.: 171 – електроніка / М.О. Костян; наук. кер. Л.В. Однодворець. – Суми: СумДУ, 2021. – 27 с.
Abstract	Мета кваліфікаційної роботи полягала у вивченні конструктивно-технологічних особливостей та фізики процесів в напівпровідникових діодах різного функціонального призначення і типономіналів. У роботі розглянуті конструктивно-технологічні та фізичні особливості напівпровідникових діодів різного функціонального призначення: випрямних , імпульсних, високочастотних і надвисокочастотних діодів, діодів Шотткі, стабілітронів, варикапів, світловипромінюючих та фотодіодів. Показано, що напівпровідниковий діод має переваги перед електронними двоелектродними лампами: економія енергії для одержання носіїв струму, мініатюрність, висока надійність і тривалий ресурс роботи. Недоліками діодів є погіршення їх роботи з підвищенням температури і вологості.
Appears in Collections:	Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (ЕлІТ)