Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91704
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Напівпровідникові діоди: теоретична оцінка і вимірювання параметрів
Authors Костян, М.О.
ORCID
Keywords напівпровідниковий діод
вольт-амперні характеристики
прогнозування параметрів
одновимірна діодна модель
Type Masters thesis
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91704
Publisher Сумський державний університет
License Copyright not evaluated
Citation Костян М. О. Напівпровідникові діоди: теоретична оцінка і вимірювання параметрів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня магістра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. Л. В. Однодворець. Суми : Сумський державний університет, 2023. 29 с.
Abstract Актуальність теми роботи. Актуальність роботи обумовлена широким використанням напівпровідникових діодів різного функціонального призначення: випрямних, імпульсних, високочастотних і надвисокочастотних діодів, діодів Шотткі, стабілітронів, варикапів, світло випромінюючих та фотодіодів, а також їх перевагами перед електронними двоелектродними лампами: економія енергії для одержання носіїв струму, мініатюрність, висока надійність і тривалий ресурс роботи. Мета роботи полягала у вивченні конструктивно-технологічних особливостей та фізики процесів в напівпровідникових діодах різного функціонального призначення і типономіналів, розрахунку параметрів діодів на основі одновимірної діодної моделі, порівнянні результатів вимірювань та розрахунків. Методи: використання лабораторного стенду для вимірювань параметрів і хараактеристик діодів різного функціонального призначення і типономіналу; розрахунковий метод на основі одновимірної діодної моделі. Отримані результати: 1. Розглянуто фізичні основи функціонування, класифікацію, особливості конструкцій, робочі параметри і характеристики та переваги напівпровідникових діодів різних типономіналів та функціонального призначення. 2. Порівняння експериментальних і розрахункових даних для промислового діода типу КД268А показало, що відхилення між цими даними становить від 5,4 до 47,0% в інтервалі зміни прямої напруги від 0 до 3 В, що може бути пояснено тим, що одновимірна модель діода не враховує деякі фізичні ефекти, такі як ефекти поверхневої генерації і рекомбінації носіїв заряду, рівень інжекції та явище теплоперенесення, які впливають на параметри напівпровідникової структури. 3. Аналіз вольт-амперних характеристик діодів Шотткі типу Д237Б та імпульсного діода типу КД522А показує, що характер залежності прямої гілки ВАХ для діодів відрізняються: експоненціальна залежність і діапазон прямого струму 0-10 мА (діод Шотткі) та гілка, яка має максимум і мінімум та діапазон прямого струму 0 - 0,15 А (імпульсний діод).
Appears in Collections: Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (ЕлІТ)

Views

Singapore Singapore
6375
Ukraine Ukraine
2603
United Kingdom United Kingdom
16
United States United States
3546
Unknown Country Unknown Country
207

Downloads

France France
1
Germany Germany
1661
Indonesia Indonesia
1
Netherlands Netherlands
1
Ukraine Ukraine
3546
United States United States
12748
Unknown Country Unknown Country
1

Files

File Size Format Downloads
Kostyan_mag_rob.pdf 731.88 kB Adobe PDF 17959

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.