Определение толщины активной области Si-pin детектора по зависимости интенсивности аналитических линий однокомпонентных эталонов от длины волны

Abstract

Предложена простая процедура определения толщины активной области детектора, при которой в качестве известных потоков используются потоки аналитических линий флуоресцентного излучения однокомпонентных образцов при их возбуждении монохроматическим излучением вторичного излучателя. Совмещение экспериментальной и расчетной кривых зависимости интенсивности аналитических линий от длины волны позволяет определить толщину активной области d = 170 мкм с точностью ± 10 мкм. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9220

Пропонується проста процедура визначення товщини активної області детектора, при якої як відомі потоки використовуються потоки аналітичних ліній флуоресцентного випромінювання однокомпонентних зразків при їхньому збудженні монохроматичним випромінюванням вторичного випромінювача. Порівняння експериментальної і розрахункової кривих залежності інтенсивності аналітичних ліній від довжини хвилі дозволяє визначити товщину активної області d = 170 мкм з точністю ± 10 мкм. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9220

The simple procedure of the detector active zone thickness determination is proposed, in which the fluxes of fluorescent radiation analytical lines from single-component samples excited by monochromatic radiation of a secondary radiator are used as the known fluxes. The superposition of experimental and calculated curves of the analytical line intensity versus the wavelength allows determination of the active zone thickness d = 170 μm with an accuracy of ± 10 μm. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9220