Mass-spectrometric research of ion sputtering processes at high primary ion energies

Abstract

The article is devoted to mass-spectrometric investigation of ion sputtering processes in a wide range of primary ion energies. For this purpose a design of the secondary neutral mass-spectrometer is developed, which unlike the traditional devices of the given type is produced on the base of ion implanter that generates ion beams with energies up to 170 keV and current density on the target up to 1 mA/cm2. Computer simulation of the electron and positively charged ion trajectories in sputtered particle detection system is performed and the optimal parameters of a system for three modes of operation are determined. The emission of sputtered neutral copper clusters and the preferential sputtering processes of molybdenum isotopes at different parameters of the primary ion beam are studied. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9286

Стаття присвячена мас-спектрометричному дослідженню процесів іонного розпилення в широкому інтервалі енергій первинних іонів. З цією метою розроблена конструкція мас-спектрометра вторинних нейтралей, що на відміну від традиційних установок даного типу побудована на базі іонного імплантера, що генерує пучки іонів з енергією до 170 кеВ і щільністю струму на мішені до 1 мА/см2. Проведено комп'ютерне моделювання траєкторій електронів і позитивних іонів у системі реєстрації розпилених частинок і визначені оптимальні параметри системи для трьох режимів роботи установки. Проведено дослідження емісії розпилених нейтральних кластерів міді, а також процесів переважного розпилення ізотопів молібдену при різних параметрах пучка первинних іонів аргону. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9286

Статья посвящена масс-спектрометрическому исследованию процессов ионного распыления в широком интервале энергий первичных ионов. С этой целью разработана конструкция масс-спектрометра вторичных нейтралей, которая в отличие от традиционных установок данного типа построена на базе ионного имплантера, генерирующего пучки ионов с энергией до 170 кэВ и плотностью тока на мишени до 1 мА/см2. Проведено компьютерное моделирование траекторий электронов и положительных ионов в системе регистрации распыленных частиц и определены оптимальные параметры системы для трех режимов работы установки. Проведены исследования эмиссии распыленных нейтральных кластеров меди, а также процессов преимущественного распыления изотопов молибдена при различных параметрах пучка первичных ионов аргона. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9286