Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9520
Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах: Рекомендувати цей матеріал
Назва Structure, Optical And Electrical Characterization Of Tin Selenide Thin Films Deposited At Room Temperature Using Thermal Evaporation Method
Автори Kumar, N.
Sharma, V.
Parihar, U.
Sachdeva, R.
Padha, N.
Panchal, C.J.
ORCID
Ключові слова tin selnide
thin films
substrate temperature
Вид документа Стаття
Дати випуску 2011
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу) http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9520
Видавець Sumy State University Publishing
Ліцензія
Бібліографічний опис N. Kumar, V. Sharma, U. Parihar, et al., J. Nano- Electron. Phys. 3 No1, 117 (2011)
Короткий огляд (реферат) Tin Selenide (SnSe) is an important IV-VI compound semiconducting material used for various devices like memory switching, an efficient solar cell and holographic recording systems. SnSe thin films of the thickness of 100 nm were deposited by thermal evaporation method on a Glass substrate at room temperature. The prepared samples were investigated for structural, compositional, morphological and optical characte-rization respectively by using X-ray diffraction analysis (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and transmission measurements. Thus deposited films showed a good polycrystalline quality having preferred (111) orientation with uniformly distributed spherical grains having size 16nm.The grown film identified as P- types by hot probe method. The films were found to have direct band transition having an optical bandgap (Eg) of 1.92 eV at room temperature. The temperature depended electrical resistivity (ρ) determined by using the two probe method, found to be 390 Ω·m at room temperature. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9520
Розташовується у зібраннях: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
China China
47179
Egypt Egypt
1
Finland Finland
1
France France
3
Germany Germany
154580604
Greece Greece
1
India India
1177011627
Indonesia Indonesia
207613382
Iran Iran
-103119019
Ireland Ireland
-736828742
Israel Israel
1
Italy Italy
53319
Japan Japan
183852
Kenya Kenya
2
Lithuania Lithuania
1
Malaysia Malaysia
1
Mauritius Mauritius
1
Mexico Mexico
1831549340
Moldova Moldova
36196650
Mongolia Mongolia
1
Morocco Morocco
174457
Netherlands Netherlands
6
Nigeria Nigeria
1
Pakistan Pakistan
1177011620
Poland Poland
2
Romania Romania
1
Russia Russia
20
Slovakia Slovakia
1
South Korea South Korea
1831549343
Spain Spain
280036995
Sweden Sweden
1
Taiwan Taiwan
826307726
Turkey Turkey
443908628
United Kingdom United Kingdom
153860
United States United States
1831549346
Unknown Country Unknown Country
154580602
Vietnam Vietnam
1
Україна Україна
154580605

Downloads

Algeria Algeria
1
Bangladesh Bangladesh
1
China China
154580603
Côte d’Ivoire Côte d’Ivoire
1
Denmark Denmark
1
Finland Finland
1
Germany Germany
1177011625
India India
1831549345
Indonesia Indonesia
1
Iran Iran
2
Iraq Iraq
1
Japan Japan
218376
Kenya Kenya
4
Lithuania Lithuania
1
Malaysia Malaysia
1
Mexico Mexico
1
Morocco Morocco
1
Pakistan Pakistan
506083311
South Korea South Korea
1900985903
Taiwan Taiwan
589
Turkey Turkey
443908629
United Kingdom United Kingdom
5218162
United States United States
1831549341
Unknown Country Unknown Country
222
Україна Україна
1061409863

Files

Файл Розмір Формат Downloads
14_structure.PDF 454.5 kB Adobe PDF 322581394

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.