Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9520
Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах:
Tweet
Рекомендувати цей матеріал
Назва | Structure, Optical And Electrical Characterization Of Tin Selenide Thin Films Deposited At Room Temperature Using Thermal Evaporation Method |
Автори |
Kumar, N.
Sharma, V. Parihar, U. Sachdeva, R. Padha, N. Panchal, C.J. |
ORCID | |
Ключові слова |
tin selnide thin films substrate temperature |
Вид документа | Стаття |
Дати випуску | 2011 |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу) | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9520 |
Видавець | Sumy State University Publishing |
Ліцензія | |
Бібліографічний опис | N. Kumar, V. Sharma, U. Parihar, et al., J. Nano- Electron. Phys. 3 No1, 117 (2011) |
Короткий огляд (реферат) |
Tin Selenide (SnSe) is an important IV-VI compound semiconducting material used for various devices like memory switching, an efficient solar cell and holographic recording systems. SnSe thin films of the thickness of 100 nm were deposited by thermal evaporation method on a Glass substrate at room temperature. The prepared samples were investigated for structural, compositional, morphological and optical characte-rization respectively by using X-ray diffraction analysis (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and transmission measurements. Thus deposited films showed a good polycrystalline quality having preferred (111) orientation with uniformly distributed spherical grains having size 16nm.The grown film identified as P- types by hot probe method. The films were found to have direct band transition having an optical bandgap (Eg) of 1.92 eV at room temperature. The temperature depended electrical resistivity (ρ) determined by using the two probe method, found to be 390 Ω·m at room temperature.
When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9520 |
Розташовується у зібраннях: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Canada
1
China
47179
Egypt
1
Finland
1
France
3
Germany
154580604
Greece
1
India
1177011627
Indonesia
207613382
Iran
-103119019
Ireland
-736828742
Israel
1
Italy
53319
Japan
183852
Kenya
2
Lithuania
1
Malaysia
1
Mauritius
1
Mexico
1831549340
Moldova
36196650
Mongolia
1
Morocco
174457
Netherlands
6
Nigeria
1
Pakistan
1177011620
Poland
2
Romania
1
Russia
20
Slovakia
1
South Korea
1831549343
Spain
280036995
Sweden
1
Taiwan
826307726
Turkey
443908628
United Kingdom
153860
United States
1831549346
Unknown Country
154580602
Vietnam
1
Україна
154580605
Downloads
Algeria
1
Bangladesh
1
China
154580603
Côte d’Ivoire
1
Denmark
1
Finland
1
Germany
1177011625
India
1831549345
Indonesia
1
Iran
2
Iraq
1
Japan
218376
Kenya
4
Lithuania
1
Malaysia
1
Mexico
1
Morocco
1
Pakistan
506083311
South Korea
1900985903
Taiwan
589
Turkey
443908629
United Kingdom
5218162
United States
1831549341
Unknown Country
222
Україна
1061409863
Files
Файл | Розмір | Формат | Downloads |
---|---|---|---|
14_structure.PDF | 454.5 kB | Adobe PDF | 322581394 |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.