Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/95272
Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах:
Tweet
Рекомендувати цей матеріал
Назва | Перспективні напівпровідникові наноматеріали для потреб гнучкої електроніки: синтез, розробка методів друку та оптимізація їх структурних, оптичних і фотоелектричних властивостей |
Інші назви |
Нанесення плівок сполук Cu2ZnSn(SxSe1-x)4, SnS та визначення оптимальних умов їх одержання. Двошарові та багатошарові структури на основі оксидних та багатокомпонентних сполук. Створення прототипів функціональних елементів гнучкої електроніки на основі розроблених та оптимізованих гетеропереходів |
Автори |
Опанасюк, Анатолій Сергійович
![]() Доброжан, Олександр Анатолійович ![]() Кахерський, Станіслав Ігорович Пшеничний, Роман Миколайович ![]() Д'яченко, Олексій Вікторович ![]() Логвинов, Андрій Миколайович ![]() Voznyi, Andrii Andriiovych Возний, Андрій Андрійович Шамардін, Артем Володимирович Гнатенко, Юрій Павлович ![]() Буківський, Петро Миколайович |
ORCID |
http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0001-9238-7596 http://orcid.org/0000-0002-2560-9379 http://orcid.org/0000-0003-2312-5255 http://orcid.org/0000-0001-5496-3345 http://orcid.org/0000-0002-8173-3948 |
Ключові слова |
наночастинки nanoparticles плівки films хімічні методи нанесення chemical deposition methods друк printing оксидні та кестеритні сполуки oxide and kesterite compounds гетеропереходи hetero-junctions ZnO:Al (In) NiO CuxO SnSx Cu2ZnSn(SxSe1-x)4 Cu2Zn(Mg)SnS4 елементний склад elemental composition структура та субструктура structure and substructure оптичні характеристики optical characteristics фотолюмінесценція photoluminescence питомий опір resistivity гнучка та прозора електроніка flexible and transparent electronics |
Вид документа | Звіт |
Дати випуску | 2023 |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу) | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/95272 |
Видавець | Сумський державний університет |
Ліцензія | Copyright не зазначено |
Бібліографічний опис | Перспективні напівпровідникові наноматеріали для потреб гнучкої електроніки: синтез, розробка методів друку та оптимізація їх структурних, оптичних і фотоелектричних властивостей = Нанесення плівок сполук Cu2ZnSn(SxSe1-x)4, SnS та визначення оптимальних умов їх одержання. Двошарові та багатошарові структури на основі оксидних та багатокомпонентних сполук. Створення прототипів функціональних елементів гнучкої електроніки на основі розроблених та оптимізованих гетеропереходів : звіт про НДР (заключний) / кер. А. С. Опанасюк. Суми : Сумський державний університет, 2023. 276 с. № 0120U104809. |
Короткий огляд (реферат) |
Об’єкт досліджень: процеси фазо- і структуроутворення у наночастинках синтезованих колоїдно-поліольним методом при різних фізико- та хіміко-технологічних умовах та їх вплив на електрофізичні, оптичні, фотолюмінесцентні характеристики одно- та багатошарових зразків. Предмет досліджень: розробка матеріалознавчих основ одержання наночастинок і плівок кестеритних (Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSе4, Cu2ZnSn(SxSe1-x)4, Cu2Zn(Mg)SnS4, SnSx) та оксидних (ZnO, NiO, CuxO) напівпровідникових сполук, а також методів керування ансамблем дефектів, електрофізичними, оптичними, фотолюмінесцентними характеристиками наноматеріалів з метою їх одержання із заданими фізичними властивостями. Вироблення рекомендацій щодо подальшого використання отриманих наноматеріалів у сенсориці, опто- і мікроелектроніці, гнучкій електроніці, геліоенергетиці. Мета роботи: cтворення матеріалознавчих і фізико-технологічних основ одержання нових перспективних напівпровідникових наноматеріалів, плівок і гетероструктур на їх основі з контрольованими та наперед заданими електричними, оптичними і структурними властивостями шляхом друку, придатних для використання в гнучкій електроніці, опто- і мікроелектроніці, сенсориці та геліоенергетиці. Research object: processes of phase and structure formation in the nanoparticles synthesized by the colloidal-polyol method under different physical and chemical-technological conditions and their influence on the electrophysical, optical, photoluminescent properties of single- and multilayer samples. Research subject: development of materials science bases to design nanoparticles and films of kesteritic (Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSе4, Cu2ZnSn(SxSe1-x)4, Cu2Zn(Mg)SnS4, SnSx) and oxide (ZnO, NiO, CuxO) semiconductor compounds, as well as methods for controlling an ensemble of defects, electrophysical, optical, photoluminescent properties of nanomaterials with an aim to control their physical properties. Development of recommendations for further use of the obtained nanomaterials in sensory, opto- and microelectronics, flexible electronics, solar energy. Research purpose: the purpose of the project is to develop materials and physical-technological bases for obtaining new promising semiconductor nanomaterials with controlled and predetermined electrical, optical, and structural properties by colloidal-polyol synthesis, suitable for application in flexible electronics, optoelectronics and microelectronics, sensors and solar energy. |
Розташовується у зібраннях: |
Звіти з наукових досліджень |
Views

1

1

1

11

146

1
Downloads

1

1

99

1
Files
Файл | Розмір | Формат | Downloads |
---|---|---|---|
Opanasiuk_zvit_2023.pdf | 11.37 MB | Adobe PDF | 102 |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.