Вплив температури на транспортні властивості композитних матеріалів електроніки на основі феромагнітних металів та діелектриків

Abstract

У сучасному світі технологічного прогресу розробка нових матеріалів, які б відповідали зростаючим вимогам електронної промисловості займає важливе місце. Особливий інтерес викликають композиційні матеріали на основі феромагнітних металів і діелектриків, які відкривають нові можливості. У класі нанорозмірних магнітних матеріалів особливе місце займають феромагнітні нанокомпозити «метал-діелектрик», отримані методом пошарової конденсації. При відповідних співвідношеннях об’ємних часток компонентів у нанокомпозитах та відповідних ефективних товщина шарів у шаруватих структурах вони можуть складаються з магнітних наночастинок розподілених у діелектричній матриці. Наукова та практична значимість таких матеріалів зумовлена тим, що їх електричними та магнітними властивостями можна керувати через зміну концентрації компонент чи ефективної товщини шарів, що в свою чергу приводить до зміни розміру магнітних наночастинок і як наслідок зміни електропровідності, магнітних та магніторезистивних властивостей. Це особливо проявляється на залежності електроопору від об’ємної частки компонентів чи ефективної товщини шарів. Критична поведінка цієї залежності пов’язана з відмінністю механізмів провідності і величини електроопору металевої і діелектричної фаз [1]. Тому мета даної роботи полягає в експериментальному дослідженні електричних властивостей композитних матеріалів, сформованих на основі феромагнітного металу Fe та діелектрику SiO2 методом пошарової конденсації у вакуумі як можливих термостабільних чутливих елементів приладових структур.