Тонкоплівкові резистори: матеріали, температурні характеристики, застосування

Abstract

Для оптимізації продуктивності, функціональності та розміру інтегральних мікросхем в останні роки широко досліджуються вбудовані пасивні компоненти, зокрема тонкоплівкові резиcтори, з високою надійністю та точністю. Мета кваліфікаційної роботи бакалавра полягає у вивченні принципів вибору матеріалів тонкоплівкових резисторів, виходячи із галузей їх практичного застосування, а також в експериментальному дослідженні електрофізичних властивостей системи [Fe/SiO2] як функціонального матеріалу електроніки. Тонкоплівокві багатошарові системи [Fe(dFe)/SiO2(3)]10/П були отримані методом почергового магнетронного розпилення на сапфірову підкладку. Базовий тиск у вакуумній камері становив 710-7 Торр. Для формування шарів SiO2 використовували радіочастотне магнетронне розпилення з потужністю 100 Вт і швидкістю осадження 1 нм/хв. Для формування шару Fe використовували магнетронне розпилення на постійному струмі з потужністю 100 Вт і швидкістю осадження 5 нм/хв. Ефективна товщина dFe змінювалася в межах від 2 до 9 нм. Осаджені плівки відпалювали при різних температурах (200, 300 і 400 С) в середовищі Ar+H2(2%) з використанням відпалювальної печі з безперервним потоком газу. Аналіз температурних залежностей питомого опору і ТКО показав, що системи [Fe(6)/SiO2(3)]10/П та [Fe(7)/SiO2(3)]10/П можуть бути запропоновані як матеріал для високоомних резисторів з малим температурним коефіцієнтом опору.