Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99593
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Структурно-морфологічні характеристики близькорівноважних конденсатів Si
Authors Пархоменко, О.С.
ORCID
Keywords літій-іонні батареї
lithium-ion batteries
пористі структури
porus structures
структурно-морфологічні характеристики
structural and morphological characteristics
Type Bachelous Paper
Speciality 153 - Мікро та наносистемна техніка
Educational Program ОПП Нанотехнології та біомедичні системи
Date of Issue 2025
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99593
Publisher Сумський державний університет
License Copyright not evaluated
Citation Пархоменко О. С. Структурно-морфологічні характеристики близькорівноважних конденсатів Si: робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавр : 153 – мікро- та наносистемна техніка / наук. кер. В. І. Перекрестов. Суми : Сумський державний університет, 2025. 57 с.
Abstract В бакалаврській роботі проводилося дослідження методів отримання структурно-морфологічних характеристик конденсатів на основі Si, аналіз елементного та електрохімічного складу анодів на основі Cu/Si. Проведено електронно-мікроскопічні аналізи структурно-морфологічниї характеристик і елементного складу двошарових конденсатів на основі Cu/Si, що розглядаються як перспективні матеріали для анодів літій-іонних акумуляторів. Встановлено, що процеси близькорівноважного осадження міді та кремнію сприяють формуванню пористих структур із нанорозмірними компонентами. Але, при довгому зберіганні таких структур на повітрі збільшується вмісту кисню, що вказує на утворення оксидної плівки на поверхні кремнію, яка суттєво знижує ємність акумулятора.
Appears in Collections: Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (ЕлІТ)

Views

Downloads

Files

File Size Format Downloads
Parkhomenko_bak_rob.pdf 1.72 MB Adobe PDF 0

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.