Періодичні видання СумДУ
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69
Browse
4 results
Search Results
Item Hopping Conductivity Mechanism in Cd3As2 Films Prepared by Magnetron Sputtering(Sumy State University, 2020) Zakhvalinskii, V.S.; Pilyuk, E.A.; Nikulicheva, T.B.; Ivanchikhin, S.V.; Yaprintsev, M.N.; Goncharov, I.Yu.; Kolesnikov, D.A.; Morocho, A.A.; Glukhov, О.V.Плівки арсеніду кадмію на підкладках окисленого кремнію отримані ВЧ-магнетронним розпиленням. Досліджено структуру та морфологію поверхні методами АСМ та раманівської спектроскопії. На спектрі КРС присутні характерні для плівок Cd3As2 піки при 194, 249 і 303 см – 1. Рухливість носіїв в зразках склала 0,15-1,7·103 см2В – 1с – 1 при концентрації 0,7-4,4·1019 см – 3. Встановлено, що для зразка №1 в інтервалі температур T = 10 ÷ 15 K реалізується механізм електропровідності за законом Мотта. Це можна пояснити тим, що мікроскопічне розупорядкування стає важливим для локалізації електронів в цьому температурному регіоні. Цьому сприяє зниження температури або зростання ступеня безладу. В цьому випадку стрибок стає можливим тільки всередині енергетичної смуги Мотта поблизу рівня Фермі. Перенесення заряду в зразку №2 при T = 220 ÷ 300 K здійснюється шляхом стрибкової провідності електронів зі змінною довжиною стрибка по локалізованим станам, що лежать у вузькій смузі енергій поблизу рівня Фермі. Ці стани можуть створюватися міжзеренними межами і дислокаціями. Співвідношення між значеннями кулонівської щілини Δ і шириною зони локалізованих станів W узгоджуються з відповідним механізмом провідності.Item Temperature Influence on the Properties of Thin Si3N4 Films(Sumy State University, 2015) Zakhvalinskii, V.S.; Abakumov, P.V.; Kuzmenko, A.P.; Chekadanov, A.S.; Piljuk, E.A.; Rodriguez, V.G.; Goncharov, I.J.; Taran, S.V.Applying Raman spectroscopy, small-angle x-ray scattering, and atomic force microscopy it were studied phase composition and surface morphology of nanoscale films Si3N4 (obtained by RF magnetron sputtering).Item RF Magnetron Sputtering of Silicon Carbide and Silicon Nitride Films for Solar Cells(Sumy State University, 2014) Zakhvalinskii, V.S.; Piljuk, E.A.; Goncharov, I.Yu.; Rodriges, V.G.; Kuzmenko, A.P.; Taranenko, S.V.; Abakumov, P.A.RF-magnetron nonreactive sputtering method from solid-phase target in argon atmosphere was used for obtaining thin silicon carbide and silicon nitride films, that are used for constructing solar cells based on substrates of single crystal silicon of p-type. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36380Item Diode Based on Amorphous SiC(Сумський державний університет, 2013) Zakhvalinskii, V.S.; Borisenko, L.V.; Aleynikov, A.J.; Piljuk, E.A.; Goncharov, I.; Taran, S.V.Diode structure on the basis of amorphous silicon carbide and p-type polycrystalline silicon (Eurosolar) were obtained with magnetron RF-nonreactive sputtering method from solid-phase target in argon atmosphere. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33656