Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/100416
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Intelligent Approach for Analyzing Semiconductor Band Gaps in Nanomaterial Systems |
Other Titles |
Інтелектуальний підхід до аналізу заборонених зон у напівпровідникових наноматеріалах |
Authors |
Tingare, B.A.
Kapgate, R.A. William, P. Patil, J.M. Diwan, T.D. Patare, P.M. Dhamande, L.S. |
ORCID | |
Keywords |
машинне навчання заборонені зони у напівпровіднику наноматеріали алгоритм White Shark стійкий до XGBoost (FWS-RXGBoost) machine learning semiconductor band gaps nanomaterials fine-tuned White Shark algorithmresilient XGBoost (FWS-RXGBoost) |
Type | Article |
Date of Issue | 2025 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/100416 |
Publisher | Sumy State University |
License | Creative Commons Attribution 4.0 International License |
Citation | B.A. Tingare et al., J. Nano- Electron. Phys. 17 No 4, 04027 (2025) https://doi.org/10.21272/jnep.17(4).04027 |
Abstract |
Аналіз заборонених зон у напівпровідникових наноматеріалах має велике значення для застосування
в електроніці. Традиційні підходи мають обмеження в роботі зі складними, нелінійними зв'язками для
прогнозування заборонених зон. У роботі пропонується модель FWS-RXGBoost (Fine-Tuned White Shark
Algorithm-Resilient XGBoost), яка усуває проблеми, пов'язані з оптимізацією гіперпараметрів XGBoost для
більш надійних прогнозів. Використовується набір даних Kaggle про відбитки матеріалів та цільові
значення забороненої зони. Для забезпечення точності моделі нормалізація ознак за Z-оцінкою на етапі
попередньої обробки стандартизує ознаки, що покращує градієнтне навчання. Оптимізація, натхненна
White Shark, досягає балансу між глобальним дослідженням та локальним використанням. Ця модель
виявилася більш стійкою до шуму в даних. Були проведені порівняння з моделлю градієнтного бустингу та
моделлю Extra Trees. Згідно з показниками RMSE (0,17), MAE (0,10) та R² (0,97), FWS-RXGBoost
ефективний для моделювання складних залежностей, пов'язаних з прогнозами забороненої зони. У зв'язку
з цим, ці результати показують, що FWS-RXGBoost є надійним, високоточним інструментом для
прогнозування ширини заборонених зон напівпровідників і наразі готовий до застосування в будь-яких
реальних умовах, де точність є критично важливою. У майбутніх дослідженнях можуть бути використані
більш різноманітні набори даних та складні гібридні моделі для розширення можливостей прогнозування. Аналіз заборонених зон у напівпровідникових наноматеріалах має велике значення для застосування в електроніці. Традиційні підходи мають обмеження в роботі зі складними, нелінійними зв'язками для прогнозування заборонених зон. У роботі пропонується модель FWS-RXGBoost (Fine-Tuned White Shark Algorithm-Resilient XGBoost), яка усуває проблеми, пов'язані з оптимізацією гіперпараметрів XGBoost для більш надійних прогнозів. Використовується набір даних Kaggle про відбитки матеріалів та цільові значення забороненої зони. Для забезпечення точності моделі нормалізація ознак за Z-оцінкою на етапі попередньої обробки стандартизує ознаки, що покращує градієнтне навчання. Оптимізація, натхненна White Shark, досягає балансу між глобальним дослідженням та локальним використанням. Ця модель виявилася більш стійкою до шуму в даних. Були проведені порівняння з моделлю градієнтного бустингу та моделлю Extra Trees. Згідно з показниками RMSE (0,17), MAE (0,10) та R² (0,97), FWS-RXGBoost ефективний для моделювання складних залежностей, пов'язаних з прогнозами забороненої зони. У зв'язку з цим, ці результати показують, що FWS-RXGBoost є надійним, високоточним інструментом для прогнозування ширини заборонених зон напівпровідників і наразі готовий до застосування в будь-яких реальних умовах, де точність є критично важливою. У майбутніх дослідженнях можуть бути використані більш різноманітні набори даних та складні гібридні моделі для розширення можливостей прогнозування. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Downloads
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Tingare_jnep_4_2025.pdf | 651.23 kB | Adobe PDF | 0 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.