Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10587
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Оптичні характеристики та склад плівок Cd1 - xMnxTe отриманих методом квазізамкненого об'єму
Authors Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych
Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych  
Коваль, П.В.
Фочук, П.М.
Старіков, В.В.
ORCID http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords плівки твердого розчину
пленки твердого раствора
film solid solution
коефіцієнт пропускання
коэффициент пропускания
transmittance coefficient
коефіцієнт відбиття
коэффициент отражения
reflection coefficient
ширина забороненої зони
ширина запрещенной зоны
Type Article
Date of Issue 2011
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10587
Publisher Видавництво СумДУ
License
Citation Оптичні характеристики та склад плівок Cd1 - xMnxTe отриманих методом квазізамкненого об'єму [Текст] / В.В. Косяк, А.С. Опанасюк, П.В. Коваль та ін. // Журнал нано- та електронної фізики. — 2011. — Т.3, №2. — С.48-58.
Abstract Проведено дослідження оптичних характеристик плівок Cd1 – xMnxTe, отриманих методом термічного випаровування у квазізамкненому об’ємі. Вимірювання здійснювалися методами спектрофотометричного аналізу поблизу «червоної межі» фотоактивності напівпровідника. В результаті отримані спектральні розподіли коефіцієнтів пропускання Т(λ), відбиття R(λ), поглинання α(λ) плівок та розрахована ширина забороненої зони матеріалу. Значення ширини забороненої зони було використане для визначення вмісту марганцю у конденсатах в залежності від фізико-технологічних умов їх отримання. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10587
Study of the optical properties of Cd1 – xMnxTe films obtained by the close spaced sublimation technique was carried out. Measuring of the optical characteristics of the layers was performed by the spectrophotometric analysis method near the “red boundary” of the semiconductor photoactivity. This research allowed to obtain the spectrum distributions of the transmission T(O), reflection R(O) and absorption D(O) coefficients of the films as well as estimate the band-gap energy of the compound. The values of the band-gap energy were used for determination of manganese concen-trations in the films depending on the growth conditions. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10587
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Belgium Belgium
1
Canada Canada
1
China China
13
Denmark Denmark
2
France France
5
Germany Germany
213
Greece Greece
62677
Hungary Hungary
2
Indonesia Indonesia
1
Iran Iran
1
Ireland Ireland
1685167
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
10451
Romania Romania
4
Russia Russia
20
Spain Spain
2
Sweden Sweden
1
Turkey Turkey
2
Ukraine Ukraine
101501511
United Kingdom United Kingdom
3008230
United States United States
84785374
Unknown Country Unknown Country
5974671

Downloads

China China
5
France France
1
Germany Germany
214
Ireland Ireland
362103
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
17920824
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
197028350
Unknown Country Unknown Country
225

Files

File Size Format Downloads
EA4EB4E9d01.pdf 880.31 kB Adobe PDF 215311724

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.