Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/28538
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Математическая модель процесса ионной имплантации
Authors Sokolov, Serhii Viktorovych
Щекотова, И.В.
Доброжан, А.А.
Keywords обробка матеріалів
іонна імплантація
обработка материалов
ионная имплантация
Type Conference Papers
Date of Issue 2012
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/28538
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Соколов, C.B. Математическая модель процесса ионной имплантации [Текст] / C.B. Соколов, И.В. Щекотова, А.А. Доброжан // Сучасні інформаційні системи і технології : матеріали Першої міжнародної науково-практичної конференції, м. Суми, 15-18 травня 2012 р. / Ред.кол.: А.С. Довбиш, О.А. Борисенко, І.В. Баранова. — Суми : СумДУ, 2012. — С. 27-28.
Abstract Одним из современных методов поверхностной обработки материалов высокоэнергетическими частицами является ионная имплантация. Этот метод не зависит от пределов химической растворимости и концентрации материла примеси на поверхности кристалла, а также от температуры в процессе имплантации При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/28538
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
1
China China
24
Denmark Denmark
1
France France
4
Germany Germany
14
Iran Iran
1
Morocco Morocco
1
Netherlands Netherlands
4
Russia Russia
15
Turkey Turkey
6
Ukraine Ukraine
864
United Kingdom United Kingdom
6
United States United States
28
Unknown Country Unknown Country
101

Downloads

A1 A1
1
Azerbaijan Azerbaijan
2
Belarus Belarus
10
China China
3
Croatia Croatia
1
France France
3
Germany Germany
2
Kazakhstan Kazakhstan
1
Romania Romania
1
Russia Russia
60
Ukraine Ukraine
861
United States United States
3
Unknown Country Unknown Country
498

Files

File Size Format Downloads
implantation.pdf 310,21 kB Adobe PDF 1446

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.