Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38504
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Структурні, механічні і оптичні властивості плазмохімічних Si-C-N плівок
Other Titles Структурные, механические и оптические свойства плазмохимических Si-C-N пленок
Structural, mechanical and optical properties of plasma-chemical Si-C-N films
Authors Козак, А.О.
Іващенко, В.І.
Порада, О.К.
Іващенко, Л.А.
Томіла, Т.В.
ORCID
Keywords PECVD
Гексаметилдісилазан
Si-C-N плівки
FTIR
Наноіндентування
PECVD
Гексаметилдисилазан
Si-C-N пленки
FTIR
Наноиндентирование
PECVD
Hexamethyldisilazane
Si-C-N films
FTIR
Nanoindentation
Type Article
Date of Issue 2014
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38504
Publisher Сумський державний університет
License
Citation А.О. Козак, В.І. Іващенко, О.К. Порада, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 6 № 4, 04047 (2014)
Abstract Досліджено вплив температури підкладкотримача в інтервалі температур (40-400 °С) на властивості Si-C-N плівок, осаджених плазмохімічним методом з гексаметилдісилазану. Проведено дослідження структури, картини хімічних зв’язків, морфології поверхні, механічних властивостей та енергетичної щілини з використанням рентгенівської дифрактометрії, інфрачервоної спектроскопії, рентгенівської фотоелектронної спектроскопії, атомно-силового мікроскопу, наноіндетування та оптичним поглинанням. Встановлено, що всі плівки є рентгеноаморфними і мають низьку шорсткість поверхні. З підвищенням температури підкладкотримача до 400°С відбуваються інтенсивна ефузія водню з плівок, що сприяє зменшенню шорсткості, а також збільшенню твердості та модуля пружності плівок.
Исследовано влияние температуры подложкодержателя в интервале температур (40-400 °С) на свойства Si-C-N пленок, осажденных плазмохимическим методом из гексаметилдисилазана. Проведено исследование структуры, картины химических связей, морфологии поверхности, механических свойств и энергетической щели полученных пленок используя рентгеновскую дифракцию, инфракрасную спектроскопию, рентгеновскую фотоэлектронную спектроскопию, атомно-силовую микроскопию, наноиндентирование и опотеческим поглощением. Установлено, что все пленки являются рентгеноаморфными и имеют низкую шероховатость поверхности. С повышением температуры подложкодержателя до 400 °C происходит интенсивная эффузия водорода с пленок, что способствует уменьшению шероховатости, а также увеличению твердости и модуля упругости более чем в два раза.
An influence of the substrate temperature in the range of 40-400 °C on the properties of the Si-C-N films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique using hexamethyldisilazane is analyzed. Study of the structure, chemical bonding, surface morphology, mechanical properties and energy gap of the obtained films was carried out using X-ray diffraction, infrared spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, atomic force microscopy, optical measurements and nanoindentation. It was established that all the films were X-ray amorphous and had low surface roughness. Intensive hydrogen effusion from the films takes place, when substrate temperature increases up to 400 °C, which promotes a decrease of roughness and an increase in hardness and Young modules more than twice.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
China China
16
Finland Finland
1
France France
1
Germany Germany
5207
Ireland Ireland
52711
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
1
Ukraine Ukraine
953911
United Kingdom United Kingdom
478692
United States United States
4888139
Unknown Country Unknown Country
9

Downloads

China China
4
Germany Germany
2
Lithuania Lithuania
1
Slovakia Slovakia
1
Ukraine Ukraine
1907032
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
3397585
Unknown Country Unknown Country
9

Files

File Size Format Downloads
Kozak_ Ivashchenko_Porada_Ivashchenko_Tomila.pdf 581,79 kB Adobe PDF 5304635

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.