Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42988
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Оптичні властивості плазмохімічних гідрогенізованих Si-C-N плівок
Other Titles Optical Properties of PECVD Si-C-N Films
Оптические свойства плазмохимических гидрогенизированных Si-C-N пленок
Authors Козак, А.О.
Іващенко, В.І.
Порада, О.К.
Іващенко, Л.А.
Малахов, В.Я.
Томіла, Т.В.
Keywords PECVD
Гексаметилдісилазан
Si-C-N плівки
FTIR
Оптичні спектри
PECVD
Гексаметилдисилазан
Si-C-N пленки
FTIR
Оптические спектры
PECVD
Hexamethyldisilazane
Si-C-N films
FTIR
Optical spectra
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42988
Publisher Сумський державний університет
License
Citation А.О. Козак, В.І. Іващенко, О.К. Порада, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 3, 03040 (2015)
Abstract Досліджено структурні властивості та енергетичну щілину Si-C-N плівок, осаджених плазмохімічним методом з гексаметилдісилазану, в інтервалі температур 200-700 °С. Плівки були отримані на кремнієвих і скляних підкладках, що дало можливість провести рентгеноструктурне дослідження та вивчити спектри інфрачервоного (FTIR) і оптичного пропускання. Представлення широкої смуги FTIR спектрів у вигляді гаусіан свідчить, що основний внесок роблять коливання Si-C, Si-N і Si-O зв'язків. Показано, що з підвищенням температури відбувається інтенсивна ефузія водню з плівок. Енергетична щілина зменшується з 2,3 до 1,6 еВ зі зміною температури підкладки з 200 до 700 °С.
Исследованы структурные свойства и энергетическая щель Si-C-N пленок, осажденных плазмохимическим методом из гексаметилдисилазана, в интервале температур 200-700 °С. Пленки были получены на кремниевых и стеклянных подложках, что дало возможность провести рентгеноструктурное исследование и изучить спектры инфракрасного (ИК) и оптического пропускания. Представление широкой полосы ИК спектров в виде гаусиан свидетельствует, что основной вклад вносят колебания Si-C, Si-N и Si-O связей. Показано, что с повышением температуры происходит интенсивная эффузии водорода с пленок. Энергетическая щель уменьшается с 2,3 до 1,6 эВ с изменением температуры подложки с 200 до 700 °С.
The structural properties and the energy gap of Si-C-N films deposited by PECVD method from hexamethyldisilazane in the temperature range of 200-700 °C were studied. The films were deposited on silicon and glass substrates that made it possible to perform the XRD analysis and study the absorption infrared (FTIR) and optical spectra. The deconvolution of main band by Gaussians indicates that the main contributions come from the vibrations of Si-C, Si-N and Si-O bonds. It is shown that an intensive effusion of hydrogen from the films occurs with increasing temperature. The band gap decreases from 2.3 to 1.6 eV as substrate temperature is changed from 200 to 700 °C.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
1
France France
1
Germany Germany
32
Italy Italy
2
Netherlands Netherlands
1089
Russia Russia
2
Slovakia Slovakia
1
Ukraine Ukraine
490
United Kingdom United Kingdom
4353
United States United States
546
Unknown Country Unknown Country
10

Downloads

China China
5
Czechia Czechia
1
Germany Germany
6528
Peru Peru
1
Russia Russia
1
Ukraine Ukraine
544
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1
Unknown Country Unknown Country
23

Files

File Size Format Downloads
Kozak.pdf 528,53 kB Adobe PDF 7105

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.