Обчислення коефіцієнта екстинкції з врахуванням анізотропії в орієнтації радіаційних дефектів

Яремій, І.П.; Томин, У.О.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43544

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Обчислення коефіцієнта екстинкції з врахуванням анізотропії в орієнтації радіаційних дефектів
Authors	Яремій, І.П. Томин, У.О.
ORCID
Keywords	анізотропія анизотропия anisotropy кристали кристаллы crystals іонна імплантація ионная имплантация ion implantation
Type	Conference Papers
Date of Issue	2013
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43544
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Яремій, І.П. Обчислення коефіцієнта екстинкції з врахуванням анізотропії в орієнтації радіаційних дефектів [Текст] / І.П. Яремій, У.О. Томин // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 22-27 квітня 2013 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2013. - С. 33.
Abstract	Одним із методів цілеспрямованої модифікації приповерхневих шарів кристалів є іонна імплантація. Дефекти, що утворюються в результаті імплантації, впливають на властивості матеріалу, тому виникає потреба у визначенні їх основних характеристик. Зробити це можна методами Х-променевої дифрактометрії. При цьому точність отриманих результатів буде залежати від того, на скільки близька закладена при моделюванні теоретичних кривих дифракційного відбивання (КДВ) модель імплантованого шару до його реальної структури.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)