Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65790
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Вплив параметрів магнітного та немагнітного шарів на процеси дисипації у багатошарових наноструктурах з антиферомагнітним компонентом
Other Titles Влияние параметров магнитного и немагнитного слоев на процессы диссипации в мно- гослойных наноструктурах с антиферромагнитным компонентом
Effect of Magnetic and Nonmagnetic Layers Parameters on Dissipation Processes in Multilayer Nanostructures with Antiferromagnetic Component
Authors Полек, Т.І.
Яремкевич, Д.Д.
Козак, І.М.
Кравець, А.Ф.
ORCID
Keywords багатошарова наноструктура
многослойная наноструктура
magnetic relaxation
магнітна релаксація
магнитная релаксация
magnetic relaxation
спінова накачка
спиновая накачка
spin pumping
феромагнітний резонанс
ферромагнитный резонанс
ferromagnetic resonance
намагніченість
намагниченность
magnetization
анізотропія
анизотропия
anisotropy
Type Article
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65790
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Вплив параметрів магнітного та немагнітного шарів на процеси дисипації у багатошарових наноструктурах з антиферомагнітним компонентом [Текст] / Т.І. Полек, Д.Д. Яремкевич, І.М. Козак, А.Ф. Кравець // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 3. - 03001. - DOI: 10.21272/jnep.9(3).03001.
Abstract У даній роботі виконано експериментальні дослідження магнітної релаксації у багатошарових нано- структурах АФМ/Cu/ФМ (АФМ = Mn80Ir20 – антиферомагнетик, ФМ = Ni80Fe20 – феромагнетик) з різними товщинами магнітного та немагнітного (Сu) шарів. Зразки були виготовлені методом магнетронного напилення. Ефекти спінової накачки в системі ФМ/АФМ спостерігалися з використанням методу феромагнітного резонансу (ФМР), а саме, по уширенню лінії ФМР. У результаті виконання роботи знайдено магнітні параметри зразків, зокрема величину намагніченості та одноосної анізотропії. Аналізуючи експериментальні дані та провівши моделювання, знайдено внесок в параметр затухання намагніченості, викликаний ефектом спінової накачки (asp) для кожного зі зразків серії. Встановлено, що на величину (asp) впливає як товщина магнітного, так і (в певних випадках) немагнітного шарів. Отримані результати є корисними для подальшого дослідження дисипативних явищ у спінтронних пристроях на основі антиферомагнетиків.
В данной работе выполнены экспериментальные исследования магнитной релаксации в много- слойных наноструктурах АФМ/Cu/ФМ(АФМ = Mn80Ir20 – антиферромагнетик, ФМ = Ni80Fe20 – ферромагнетик) с различными толщинами магнитного и немагнитного (Сu) слоев. Образцы были изготовлены методом магнетронного напыления. Эффекты спиновой накачки в системе ФМ/АФМ наблюдались с использованием метода ферромагнитного резонанса (ФМР), а именно, по уширению линии ФМР. В результате выполнения работы найдены магнитные параметры образцов, в частности величина намагниченности и одноосной анизотропии. Анализируя экспериментальные данные и проведя моделирование, найдено вклад в параметр затухания намагниченности, вызванный эффектом спиновой накачки (asp) для каждого из образцов серии. Установлено, что на величину asp влияет как толщина магнитного, так и (в определенных случаях) немагнитного слоев. Полученные результаты являются полезными для дальнейшего исследования диссипативных явлений в спинтронных устрой- ствах на основе антиферромагнетиков.
The experimental research of magnetic relaxation in multilayer nanostructures AFM/Cu/FM (AFM = Mn80Ir20 – antiferromagnet, FM = Ni80Fe20 – ferromagnetic) with different thicknesses of the magnetic and non-magnetic (Cu) layers were done in this work. Samples were prepared by magnetron sputtering. The effects of the spin pumping in system FM/AFM were observed with the use of ferromagnetic resonance (FMR), namely, on broadening of FMR line. As a result of the work the magnetic parameters of samples, including the value of the magnetization and uniaxial anisotropy were found. By analyzing the experimental data and conducting the simulation the contribution to setting of the magnetization attenuation caused by spin pumping effect (asp) for each series sample was found. It was established that the value asp affects the thickness of the magnetic and (in some cases) nonmagnetic layers. Obtained results are useful for further study of dissipative effects in spintronic devices based on antiferromagnets.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Belgium Belgium
1
China China
938079
Germany Germany
1
Greece Greece
1
India India
1
Ireland Ireland
16293
Japan Japan
2733775
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
157879
United Kingdom United Kingdom
1407118
United States United States
5467550
Unknown Country Unknown Country
157878

Downloads

China China
32585
Germany Germany
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
8648
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
469040
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
5467549
Unknown Country Unknown Country
6

Files

File Size Format Downloads
jnep_V9_03001_6.pdf 631.41 kB Adobe PDF 5977834

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.