Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67436
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Функціоналізація поверхні кремнію самоорганізованими германієвими структурами
Other Titles Функционализация поверхности кремния самоорганизованными германиевыми структурами
Authors Закіров, М.І.
Курилюк, В.В.
Keywords кремній
германій
поверхня
функціоналізація
кремний
германий
поверхность
функционализация
silicon
germanium
surface
functionalization
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67436
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Закіров, М.І. Функціоналізація поверхні кремнію самоорганізованими германієвими структурами [Текст] / М.І. Закіров, В.В. Курилюк // Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – Т.10, № 1. – 01017. - DOI: 10.21272/jnep.10(1).01017.
Abstract Шляхом хімічного осадження розчину на основі германію здійснено обробку поверхні кремнієвих пластин. За допомогою Фур’є-спектрів інфрачервоного поглинання проаналізовано особливості хіміч- них зв’язків в приповерхневій області пластин Si після їх функціоналізації. З використанням методу кінетики загасання поверхневої фото-ЕРС досліджено особливості процесів рекомбінації фотогенеро- ваних носіїв заряду після обробки поверхні кремнію. Виявлено, що запропонована методика функціо- налізації поверхні зумовлює збільшення часу релаксації нерівноважних носіїв заряду.
Путем химического осаждения германиевого раствора выполнено обработку поверхности кремни- евых пластин. Особенности химических связей в приповерхностной области кремниевых пластин по- сле функционализации исследованы при помощи спектров инфракрасного поглощения. С использованием метода кинетики затухания поверхностной фото-ЭДС исследовано особенности процессов рекомбинации фотогенерированных носителей заряда после обработки поверхности кремния. Установлено, что предлагаемая методика функционализации поверхности кремния является причиной увеличения времени релаксации неравновесных носителей зарядов.
Using of chemical deposit technique the silicon wafer surface functionalized out by germanium precursor. With the help of Fourier spectra of infrared absorption, the features of chemical bonds in the nearsurface region of Si plates after their functionalization are analyzed. Using the method of SPV, features of the processes of recombination of photogenic charge carriers after processing of the surface of silicon investigated. It is revealed that the proposed method of surface functionalization causes an increase in the relaxation time of nonequilibrium charge carriers.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

France France
2
Germany Germany
1
Ukraine Ukraine
83
United Kingdom United Kingdom
1
Unknown Country Unknown Country
22

Downloads

China China
1
Germany Germany
1
Ukraine Ukraine
85
Unknown Country Unknown Country
12

Files

File Size Format Downloads
Zakirov_jnep_V10_01017.pdf 344,4 kB Adobe PDF 99

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.