Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67450
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Электрические свойства тонких плѐнок Cu2ZnSnSe4 и Cu2ZnSnSe2Te2(S2), полученных методом термовакуумного напыления
Other Titles Electric Properties of Thin Films Cu2ZnSnSe4 and Cu2ZnSnSe2Te2 (S2) Obtained by Thermal Vacuum Deposition
Електричні властивості тонких плівок Cu2ZnSnSe4 і Cu2ZnSnSe2Te2 (S2) отриманих методом термовакуумного напилення
Authors Козярский, И.П.
Майструк, Э.В.
Козярский, Д.П.
Марьянчук, П.Д.
ORCID
Keywords тонкие пленки
CZTS
удельное сопротивление
термовакуумное напыление
тонкі плівки
CZTS
питомий опір
термовакуумне напилення
thin films
CZTS
resistivity
thermal vacuum deposition
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67450
Publisher Сумской государственный университет
License
Citation Электрические свойства тонких плѐнок Cu2ZnSnSe4 и Cu2ZnSnSe2Te2(S2), полученных методом термовакуумного напыления [Текст] / И.П. Козярский, Э.В. Майструк, Д.П. Козярский [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – Т.10, № 1. – 01028. - DOI: 10.21272/jnep.10(1).01028
Abstract Представлены технологические особенности синтеза и выращивания объемных кристаллов Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 и Cu2ZnSnSe2Te2. Получены поликристаллические слитки длиной до 50 мм и диаметром до 10 мм. Методом термовакуумного напыления напылены тонкие пленки Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2, Cu2ZnSnSe2Te2. С помощью четырехзондового метода определены значения удельного сопротивление полученных пленок.
Представлено технологічні особливості синтезу і вирощування об’ємних кристалів Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 і Cu2ZnSnSe2Te2. Отримано полікристалічні злитки довжиною до 50 мм та діаметром до 10 мм. Методом термовакуумного напилення отримано тонкі плівки Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 і Cu2ZnSnSe2Te2. Чотиризондовим методом визначено значення питомого опору отриманих плівок.
The technological features of synthesizing and growing bulk crystals Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 and Cu2ZnSnSe2Te2. Obtained polycrystalline ingot to 50 mm long and 10 mm in diameter. Sputtering of thin films Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2, Cu2ZnSnSe2Te2 carried out in the vacuum system UVN - 70 by thermal vacuum deposition. Investigation of the electrical properties of thin films CZTS performed by resistivity measurement. The resistivity of the films was measured by four-probe method.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
132569739
France France
3
Germany Germany
1573010
Greece Greece
1
Ireland Ireland
79335
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
69339422
United Kingdom United Kingdom
3133886
United States United States
903552986
Unknown Country Unknown Country
6109104

Downloads

China China
1
Germany Germany
1
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
69339423
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
903552985
Unknown Country Unknown Country
12

Files

File Size Format Downloads
Koziarskyi_jnep_V10_01028.pdf 218.79 kB Adobe PDF 972892425

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.