Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70481
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Вплив рівня легування на газову чутливість кремнієвих p-n переходів
Other Titles Effect of the Doping Level on the Gas Sensitivity of Si p-n Junctions
Authors Птащенко, O.O.
Птащенко, Ф.O.
Гільмутдінова, В.Р.
Кирничук1, О.С.
ORCID
Keywords кремній
p-n перехід
газовий сенсор
аміак
поріг чутливості
рівень легування
silicon
p-n junction
gas sensor
ammonia
sensitivity threshold
doping level
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70481
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Вплив рівня легування на газову чутливість кремнієвих p-n переходів [Текст] / O.O. Птащенко, Ф.O. Птащенко, В.Р. Гільмутдінова, О.С. Кирничук // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 3. - 03022. - DOI: 10.21272/jnep.10(3).03022.
Abstract Експериментально досліджено характеристики кремнієвих дифузійних p-n переходів як сенсорів парів води і аміаку в широкому діапазоні значень градієнта концентрації домішок a. Встановлено, що зменшення величини a від 6·1023 см – 4 до 5·1019 см – 4 знижує поріг чутливості Pm p-n структур до парів NH3 (тобто, мінімальний парціальний тиск парів, який можна зареєструвати) на два порядки, до значень біля 0,5 Па. Ця величина значно нижча, ніж у мембран із мезопористого кремнію і кремнієвих нанодротів, виготовлених із пластин з концентрацією домішки бору 1018 см – 3. Розкид порогу чутливості серед досліджених зразків пояснюється впливом неконтрольованих поверхневих центрів. Обробка зразків послідовно у HF і воді різко підвищує поріг чутливості, а витримка у водному розчині Na2S значно знижує його.
The characteristics of Si diffused p-n junctions as water and ammonia vapors sensors are studied over a wide range of the impurity concentration gradient a. It is established that a lowering of the value a from 6·1023 сm – 4 to 5·1019 сm – 4 decreases the sensitivity threshold Pm of the p-n structures to NH3 vapors (i.e. the lowest vapors partial pressure, which can be detected) by two orders, to about 0.5 Pa. This value is much lower than those of silicon meso-porous membranes and silicon nano-wires fabricated from plates with a boron concentration of 1018 сm – 3. The observed sensitivity threshold variation among the studied samples is due to the influence of uncontrolled surface centers. A treatment of the sample sequentially in HF and water drastically increases the sensitivity threshold, and the exposure in a Na2S solution significantly lowers it.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
China China
8295636
Germany Germany
107973
Greece Greece
1
Ireland Ireland
14649
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
399321
United Kingdom United Kingdom
214308
United States United States
41304873
Unknown Country Unknown Country
399320

Downloads

China China
1
France France
1
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Poland Poland
1
Ukraine Ukraine
1193343
United Kingdom United Kingdom
29296
United States United States
41304873
Unknown Country Unknown Country
50736085

Files

File Size Format Downloads
JNEP_03022.pdf 443.78 kB Adobe PDF 93263602

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.