Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/77140
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Junction Configuration Effect on the Performance of In2S3/CZTS Solar Cells
Other Titles Вплив конфігурації переходу на продуктивність сонячних елементів In2S3/CZTS
Authors Zaidi, B.
Shekhar, C.
Kamli, K.
Hadef, Z.
Belghit, S.
Ullah, M.S.
Keywords In2S3
сонячні елементи
CZTS
SCAPS-1D
solar cells
Type Article
Date of Issue 2020
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/77140
Publisher Sumy State University
License
Citation Junction Configuration Effect on the Performance of In[2]S[3]/CZTS Solar Cells [Текст] / B. Zaidi, C. Shekhar, K. Kamli [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2020. – Т. 12, № 1. – 01024. – DOI: 10.21272/jnep.12(1).01024.
Abstract У роботі представлено чисельне моделювання сонячних елементів на основі CZTS з використанням одновимірної програми моделювання сонячних елементів, яка називається симулятором ємності сонячного елементу (SCAPS). Було вивчено вплив товщини буферного шару In2S3 та густини природних дефектів на продуктивність та характеристики J-V сонячних елементів на основі CZTS. Результати моделювання показують, що оптимальна товщина буферного шару In2S3 становить 50 нм. Було виявлено, що густина дефектів ідеальна від 1015 до 1017 см – 3. Оптимальні фотоелектричні параметри були досягнуті з ефективністю 20,95 % при JSC = 26,85 мА/см2 та VOC = 0,78 В.
This research work presents a numerical simulation of CZTS based solar cell by using one dimensional solar cell simulation program called solar cell capacitance simulator (SCAPS). In this work, the influence of In2S3 buffer layer thickness and natural defect density on the performance and the J-V characteristics of CZTS based solar cells has been studied. The simulation results illustrate that the optimal In2S3 buffer layer thickness is 50 nm. We observed that the defect density is perfect from1015 to 1017 cm – 3. The optimal photovoltaic parameters have been achieved with an efficiency of 20.95 % with JSC = 26.85 mA/cm2 and VOC = 0.78 V.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
9612747
Egypt Egypt
1
Germany Germany
3204329
India India
176720
Iran Iran
1
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Pakistan Pakistan
1
Taiwan Taiwan
1
Tunisia Tunisia
513121
Ukraine Ukraine
9612750
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1858724
Unknown Country Unknown Country
136800
Vietnam Vietnam
513125

Downloads

Algeria Algeria
9612748
Bangladesh Bangladesh
176717
Côte d’Ivoire Côte d’Ivoire
1
Germany Germany
1
Italy Italy
1
Tunisia Tunisia
1
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
230
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
513120
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Zaidi_jnep_2020_1.pdf 393,64 kB Adobe PDF 10302822

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.