Background of Creation of New Memory Storage Unit of "Bit + Qubit" Type Based on Nanoscale Structural Inhomogeneities of Domain Walls Formed in Uniaxial Ferromagnetic Films

Shevchenko, A.B.; Barabash, M.Yu.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/77142

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Background of Creation of New Memory Storage Unit of "Bit + Qubit" Type Based on Nanoscale Structural Inhomogeneities of Domain Walls Formed in Uniaxial Ferromagnetic Films
Other Titles	Передумови створення комірки пам’яті нового типу "біт + кубіт" на основі нанорозмірних структурних неоднорідностей доменних стінок, утворених в одновісних феромагнітних плівках
Authors	Shevchenko, A.B. Barabash, M.Yu.
ORCID
Keywords	одновісна феромагнітна плівка доменна стінка вертикальна блохівська лінія квантові коливання комірка пам’яті "біт + кубіт" uniaxial ferromagnetic film domain wall vertical Bloch line quantum oscillations memory storage "bit + qubit" unit
Type	Article
Date of Issue	2020
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/77142
Publisher	Sumy State University
License
Citation	Shevchenko, A.B. Background of Creation of New Memory Storage Unit of "Bit + Qubit" Type Based on Nanoscale Structural Inhomogeneities of Domain Walls Formed in Uniaxial Ferromagnetic Films [Текст] / A.B. Shevchenko, M.Yu. Barabash // Журнал нано- та електронної фізики. – 2020. – Т. 12, № 1. – 01026. – DOI: 10.21272/jnep.12(1).01026.
Abstract	Запропоновано комірку пам’яті нового типу "біт + кубіт" на основі вертикальних блохівськіх ліній, що знаходяться в доменній стінці смугового магнітного домену, утвореного в одновісній феромагнітній плівці із сильною магнітною анізотропією. Даний результат відкриває перспективи створення запам’ятовувальних пристроїв як з квантовим, так і "класичним" режимами запису інформації. It was proposed a new memory storage unit of "bit + qubit" type based on unipolar vertical Bloch lines located in the domain wall of a magnetic stripe domain formed in a uniaxial ferromagnetic film with strong magnetic anisotropy. This result opens up the prospects for creating memory storage devices with both the quantum and "classical" process of recording information.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)