Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79540
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Experimental Investigation of the Distribution of Energy Deposited by FIB in Ion-beam Lithography
Other Titles Експериментальне дослідження розподілу енергії при осадженні сфокусованим іонним променем в іонно-променевій літографії
Authors Muratov, M.
Myrzabekova, M.
Guseinov, N.
Nemkayeva, R.
Ismailov, D.
Shabelnikova, Ya.
Zaitsev, S.
ORCID
Keywords іонно-променева літографія
покриття
FIB (сфокусований іонний промінь)
полі- (метилметакрилат) (PMMA)
іон галію
чутливість
контрастність
ion-beam lithography
resist
FIB (focused ion beam)
poly (methyl methacrylate) (PMMA)
gallium ion
sensitivit
contrast
Type Article
Date of Issue 2020
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79540
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Experimental Investigation of the Distribution of Energy Deposited by FIB in Ion-beam Lithography [Текст] / M. Muratov, M. Myrzabekova, N. Guseinov [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2020. – Т. 12, № 4. – 04038. – DOI: 10.21272/jnep.12(4).04038.
Abstract Було проведено перше і ретельне порівняння чутливості найбільш часто використовуваного покриття PMMA 950K до впливу як електронів, так і іонів галію в широкому діапазоні доз опромінення при однаковій енергії пучка. Було встановлено, що покриття PMMA 950K має позитивну чутливість 0,15 мкКл/см2, і приблизно на три порядки більш чутливе до іонів галію, ніж до електронів в тих самих умовах. При високих дозах опромінення іонами галію, а також при опроміненні електронами спостерігається негативна чутливість. Також вивчали глибину травлення покриття PMMA 950K після його травлення в розчиннику залежно від дози опромінення. Виходячи з цього, була запропонована аналітична модель з використанням густини поглинутої енергії у формі зміщеного гаусіана, яка дозволила відновити контрастність покриття PMMA 950K та енергетичну довжину за експериментальними даними. Запропонована модель точно описує як експериментальні результати, так і результати моделювання. Було показано, що контрастність для покриття PMMA 950K становить γ ~ 3,1 для енергій іонів галію, а енергетична довжина є рівною Le = 43 нм.
The first and rigorous sensitivity comparison of the most used positive-tone resist (PMMA 950K) exposure to both electrons and gallium ions in a wide range of exposure doses at the same beam energy was carried out. It was found that the PMMA 950K resist has a positive sensitivity of 0.15 µC/cm2, which is about three orders of magnitude more sensitive to gallium ions than to electrons, all at the same conditions. At high Ga exposure doses, as well as with electron exposure, negative sensitivity is observed. The depth of the resist after etching in a solvent depending on the exposure dose was also studied, and based on this an analytical model using the absorbed energy density in the form of a displaced Gaussian, that allows one to restore the resist contrast and the energy length from experimental data, was proposed. The model accurately describes the both experimental and simulation results. It was shown that the contrast for the PMMA 950K resist is γ ~ 3.1 for the energies of gallium ions and the energy length is Le = 43 nm.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
1567563
Germany Germany
13345
Greece Greece
1
India India
1
Indonesia Indonesia
1
Ireland Ireland
1955
Japan Japan
1
Kazakhstan Kazakhstan
1
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
1
Sweden Sweden
1
Taiwan Taiwan
1
Ukraine Ukraine
98907
United Kingdom United Kingdom
26538
United States United States
4367946
Unknown Country Unknown Country
6076344
Vietnam Vietnam
79

Downloads

China China
1
Indonesia Indonesia
1
Kazakhstan Kazakhstan
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
98908
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
6076344
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Muratov_jnep_4_2020.pdf 209.45 kB Adobe PDF 6175259

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.