Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80503
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title First Principles DFT + U Calculations of the Electronic Properties of ZnO/GaN Heterostructure
Other Titles Розрахунки з перших принципів електронних властивостей гетероструктур на основі ZnO/GaN
Authors Bovgyra, O.V.
Kovalenko, M.V.
Dzikovskyi, V.Ye.
Vaskiv, A.P.
Sheremeta, M.Ya.
Keywords заборонена зона
гетероструктура
електронні властивості
теорія функціонала густини
розрив зони
band gap
heterostructure
electronic properties
density functional theory
band offset
Type Article
Date of Issue 2020
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80503
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation First Principles DFT + U Calculations of the Electronic Properties of ZnO/GaN Heterostructure [Текст] / O.V. Bovgyra, M.V. Kovalenko, V.Ye. Dzikovskyi [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2020. – Т. 12, № 5. – 05003. – DOI: 10.21272/jnep.12(5).05003.
Abstract Гетероструктури на основі ZnO/GaN є перспективними матеріалами для сонячних елементів, світлодіодів та фотокаталітичних пристроїв завдяки ширині забороненої зони базових сполук, з яких сформована гетероструктура, що відповідає довжині видимого світла, і привертають значну увагу дослідників протягом останніх десяти років. В цьому дослідженні ми представляємо результати розрахунків з перших принципів, в межах теорії функціонала густини, структурних та електронних властивостей об’ємних кристалів ZnO, GaN, а також гетероструктури на їхній основі. З метою точнішого опису електронних властивостей досліджуваних об’єктів використано наближення узагальненого градієнта з поправками Габбарда (GGA + U). Отримані результати розрахунків для об’ємних кристалів ZnO та GaN показують відмінне узгодження експериментальних даних з результатами наших теоретичних розрахунків щодо енергетичного положення основних смуг в кристалах, розміщення яких є визначальним для точного визначення усередненого електростатичного потенціалу. Розрахунки параметрів гратки з використанням методу GGA + U показують відхилення від експериментальних даних в межах 0,5 %, що підтверджує надійність цього методу. Також слід відмітити не лише точність отриманих результатів, а й низьку ресурсозатратність цього методу в порівнянні з, наприклад, гібридними методами. Оптимізацію структури та електронні властивості гетероструктури ZnO/GaN розраховано тим самим методом, що й для об’ємних кристалів. На основі отриманої зонної діаграми гетеропереходу визначено відносні розриви електронних зон гетероструктури ZnO/GaN. Проведений аналіз отриманих результатів показує відмінне узгодження з даними експериментів і попередніх теоретичних розрахунків. Таким чином, ми отримали високоефективний метод розрахунку відносних розривів електронних зон гетероструктури ZnO/GaN, який дає високу точність при раціональній ресурсозатратності.
ZnO/GaN heterostructures are promising systems for solar cells, light-emitting diodes and photocatalytic applications due to their appropriate band gaps that correspond to the wavelength range of visible light and thus have attracted wide attention over the past ten years. In this study, investigations of structural and electronic properties of bulk ZnO, GaN and ZnO/GaN superlattice have been performed based on first-principles calculations within the density functional theory. For a more accurate description of the electronic properties of bulk semiconductor crystals, Hubbard correction to generalized gradient approximation (GGA + U) was applied. The obtained results show that this calculation method allows to obtain reliable band edge positions, which are the defining parameters in determining the average electrostatic potential of each bulk material. Also, the use of the GGA + U method allows obtaining the lattice mismatch of bulk ZnO and GaN within no more than 0.5 % compared with experimental results, which confirms once again the reliability of this method. It should be noted not only good accuracy of the obtained results but also low computational and time costs when using the GGA + U method. For calculations of structural and electronic properties of ZnO/GaN heterostructure, the same method as for bulk crystals was used. Based on the obtained band diagram of heterojunction, the band offsets of ZnO/GaN heterostructure were determined. We have verified that these band offsets are in very good agreement with previous experimental and theoretical results. Thus, we obtained a highly efficient method for calculating the band offsets of ZnO/GaN heterostructure that produces fine accuracy at a rational computational expense.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
1224
Japan Japan
364
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
118
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1217

Downloads

Brazil Brazil
1
China China
1225
Indonesia Indonesia
1
Japan Japan
365
Ukraine Ukraine
122
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
2926

Files

File Size Format Downloads
Bovgyra_jnep_5_2020.pdf 761,71 kB Adobe PDF 4641

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.