Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80506
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | The Optical Properties of Europium-doped Zinc Selenide Films |
Other Titles |
Оптичні властивості плівок селеніду цинку, які леговані європієм |
Authors |
Jeroh, D.M.
Ekpunobi, A.J. Okoli, D.N. |
ORCID | |
Keywords |
селенід цинку європій наноплівки спрей-піроліз оптичні дослідження zinc selenide europium nanofilms spray pyrolysi optical studies |
Type | Article |
Date of Issue | 2020 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80506 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | Jeroh, D.M. The Optical Properties of Europium-doped Zinc Selenide Films [Текст] / D.M. Jeroh, A.J. Ekpunobi, D.N. Okoli // Журнал нано- та електронної фізики. – 2020. – Т. 12, № 5. – 05006. – DOI: 10.21272/jnep.12(5).05006. |
Abstract |
Плівки ZnSe, які леговані європієм, електростатично розпилювались на скляні підкладки. Зберігаючи постійними інші параметри осадження, такі як швидкість потоку розчину прекурсора, об’єм розпилення, напруга та відстань сопла до основи, температура варіювалась приблизно від 300 °C та 400 °C з інтервалом 25 градусів. Оптичні дослідження представлені при різних температурах. Товщина плівок вказує на нанорозміри і складає 50, 100, 150, 75 і 60 нм у зазначеному діапазоні температур. Оптичні дослідження виявляють високу прозорість і дуже низькі характеристики поглинання та відбиття плівок ZnSe:Eu у видимому діапазоні. Піки поглинання, видимі при 250 нм, припускають появу дефектного стану біля краю смуги. Спостерігається високий коефіцієнт поглинання, який свідчить про високу густину станів у ZnSe:Eu. Високий коефіцієнт пропускання свідчить про придатність плівок в матеріалах покриттів, від яких вимагається висока прозорість для лазерних застосувань, тоді як низькі значення коефіцієнта відбиття та великий показник заломлення показують, що плівки можуть бути застосовані в покриттях сонячних елементів, що вимагає високої ефективності, та для виробництва оптоелектронних пристроїв. Є очевидною вища оптична провідність при енергіях фотонів більше 3 еВ. Різке збільшення коефіцієнта екстинкції з енергією фотонів вказує на збільшення ймовірності переносу електрона через зону рухливості з високою енергією фотонів і більшим ослабленням світла. Дослідження забороненої зони плівок ZnSe:Eu виявляє сильний синій зсув (з 3,01 еВ до 3,12 еВ) від положення забороненої зони об’ємного ZnSe (2,72 еВ). Europium-doped ZnSe films were sprayed on glass substrates electrostatically. Keeping other deposition parameters such as flow rate of precursor solution, spray volume, voltage and distance of nozzle to substrate constant, temperature was varied from about 300 °C and 400 °C with an interval of 25 degrees. Optical studies at different temperatures are presented. Thickness of the films obtained by surface profile indicates nanosizes of 50, 100, 150, 75 and 60 nm in the considered temperature range. Optical studies reveal high transparency, very minimal absorption and reflection characteristics of ZnSe:Eu films in the visible region. Absorption peaks visible at 250 nm suggest the occurrence of defect state near the band edge. Large absorption coefficient suggesting evidence of high density of states for ZnSe:Eu is observed. High transmittance results suggest the films suitability in coating materials that are required to exhibit high transparency for laser applications, while low reflectance values and large refractive index reveal the films could be applicable in solar cell coatings that require high efficiency and in manufacturing optoelectronic devices. Higher optical conductivity at photon energies above 3 eV is evident. Steep increase in extinction coefficient with photon energy indicates the probability of raising the electron transfer across the mobility gap with high photon energy and greater attenuation of light. Band gap investigation of ZnSe:Eu films reveals a strong blue-shift (3.01 eV to 3.12 eV) from the bulk ZnSe (2.72 eV) band gap. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Australia
1
China
125716
France
3863
Germany
1
Greece
1
Hong Kong SAR China
1
India
1
Ireland
228123739
Italy
1
Lithuania
1
Malaysia
933165325
Netherlands
3861
Nigeria
1710609493
Pakistan
1791965
Singapore
1426390777
South Korea
131003
Taiwan
755210523
Turkey
125718
Ukraine
1095325167
United Kingdom
218605
United States
755210520
Unknown Country
1095325166
Vietnam
895981
Downloads
Afghanistan
1
Bangladesh
1
Cambodia
1
Canada
1
China
-886625678
Finland
1
Germany
2091223214
India
755210521
Ireland
969366612
Italy
1
Lithuania
1
Nigeria
1
South Korea
39487
Taiwan
125722
Ukraine
88743
United Kingdom
1
United States
-1442185739
Unknown Country
2091223210
Vietnam
895982
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Jeroh_jnep_5_2020.pdf | 603.59 kB | Adobe PDF | -715605213 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.