Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80517
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Sensitivity of a HIT c-Si Solar Cell to Structural Distortions of the Hydrogenated Amorphous Silicon Constituting the Front Face of the Device
Other Titles Чутливість сонячних елементів c-Si з HIT до структурних спотворень гідрогенізованого аморфного кремнію, що складає фронтальну частину пристрою
Authors Belaroussi, T.
Rached, D.
Rahal, W.L.
Hamdache, F.
Keywords сонячні елементи
HIT
гідрогенізований аморфний кремній
характерні енергії
ASDMP
J-V характеристика
solar cells
hydrogenated amorphous silicon
characteristic energies
J-V characteristic
Type Article
Date of Issue 2020
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80517
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Sensitivity of a HIT c-Si Solar Cell to Structural Distortions of the Hydrogenated Amorphous Silicon Constituting the Front Face of the Device [Текст] / T. Belaroussi, D. Rached, W.L. Rahal, F. Hamdache // Журнал нано- та електронної фізики. – 2020. – Т. 12, № 5. – 05023. – DOI: 10.21272/jnep.12(5).05023.
Abstract У статті ми провели порівняльне дослідження двох різних типів високоефективних сонячних елементів з HIT (гетероперехід з власним тонким шаром): ITO/p-a-Si:H/i-pm-Si:H/n-c-Si/Al та ITO/n-aSi:H/i-pm-Si:H/p-c-Si/Al. Метою роботи є вивчення впливу ширини хвоста валентної зони (характерна енергія ED) та ширини хвоста зони провідності (характерна енергія EA) гідро-генізованого аморфного кремнію, присутнього як випромінювача цих сонячних елементів. Наші дослідження дозволили зробити висновок, що для отримання якісних фотоелементів важливо регулювати різні параметри, які впливають на спотворення гідрогенізованого аморфного кремнію, що використовується для розробки випромінювача елементів з HIT. На сонячних елементах n-c-Si з HIT (ITO/p-a-Si:H/i-pm-Si:H/n-c-Si/Al) зменшення ED знижує швидкість рекомбінації дірок у шарі p-a-Si:H і тим самим підвищує ефективність досліджуваних елементів. Модифікація енергії EA зони провідності не впливає на якість елементів. Для сонячних елементів p-c-Si з HIT (ITO/n-a-Si:H/i-pm-Si:H/p-c-Si/Al) відбувається протилежне явище. Дійсно, зменшення EA зменшує швидкість рекомбінації електронів у шарі n-a-Si:H і, таким чином, збільшує ефективність досліджуваних елементів. Модифікація характерної енергії ED валентної зони не впливає на продуктивність елементів цього типу.
In this article, we did a comparative study on two different types of high efficiency HIT (Heterojunctions with Intrinsic Thin layers) solar cells: ITO/p-a-Si:H/i-pm-Si:H/n-c-Si/Al and ITO/n-a-Si:H/i-pm-Si:H/pc-Si/Al. The aim is to study the influence of the valence band tail width (characteristic energy ED) and the conduction band tail width (characteristic energy EA) of hydrogenated amorphous silicon present as emitter of these solar cells. Our investigations allowed us to conclude that in order to obtain good quality photovoltaic cells, it is important to adjust the different parameters that influence the hydrogenated amorphous silicon distortions used for the development of the HIT cell emitter. On HIT n-c-Si solar cell (ITO/pa-Si:H/i-pm-Si:H/n-c-Si/Al), a decrease in ED reduces the recombination rate of the holes in the p-a-Si:H layer and thus increases the efficiency of the studied cells. The modification of EA of the conduction band does not influence the quality of the cells. For HIT p-c-Si solar cell (ITO/n-a-Si:H/i-pm-Si:H/p-c-Si/Al), the opposite phenomenon occurs. Indeed, a decrease in EA decreases the recombination rate of electrons in the n-a-Si:H layer and thus increases the efficiency of the studied cells. The modification of the characteristic energy ED of the valence band does not influence the performance of this type of cells.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
1
China China
299
Germany Germany
1
Greece Greece
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
95
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
301
Vietnam Vietnam
702

Downloads

Algeria Algeria
1
France France
296
Germany Germany
1
Ukraine Ukraine
97
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1403
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Belaroussi_jnep_5_2020.pdf 372,8 kB Adobe PDF 1800

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.