Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80533
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Thermoelectric Properties of InSb Whiskers
Other Titles Термоелектричні властивості ниткоподібних кристалів InSb
Authors Druzhinin, A.A.
Ostrovskii, I.P.
Khoverko, Yu.M.
Liakh-Kaguy, N.S.
Keywords ниткоподібні кристали
InSb
термо-ерс
теплопровідність
термоелектрична добротність
whiskers
thermo-emf
thermal conductivity
figure of merit
Type Article
Date of Issue 2020
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80533
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Thermoelectric Properties of InSb Whiskers [Текст] / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, N.S. Liakh-Kaguy // Журнал нано- та електронної фізики. – 2020. – Т. 12, № 5. – 05017. – DOI: 10.21272/jnep.12(5).05017.
Abstract У статті розглядаються термоелектричні параметри ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією олова близько 4,4·1018 см – 3 в інтервалі температур 4,2-300 К. Температурні залежності опору кристалів та коефіцієнта Зеебека вимірювали експериментально. Встановлено, що ниткоподібні кристали InSb мають досить високі значення коефіцієнта Зеебека, що перевищують значення масивних зразків у 2-3 рази. При використанні спеціально розробленого методу передачі тепла у зростках ниткоподібних кристалів проведено моделювання їх теплопровідності. Отримане плече на температурній залежності теплопровідності ниткоподібних кристалів та нанодротів InSb в області близько 100 К, що пов'язане з явищем фононного захоплення носіїв заряду, свідчить про надійність отриманих даних. У результаті була розрахована температурна залежність параметра ZT ниткоподібних кристалів InSb в інтервалі температур 4,2-300 K. Отримане значення параметра ZT 0,15 при кімнатній температурі вказує на можливість використання ниткоподібних кристалів для створення термоперетворювачів.
The article deals with studies of thermoelectric parameters of InSb whiskers with tin concentration of about 4.4·1018 cm – 3 in the temperature range 4.2-300 K. The resistance and Seebeck coefficient were measured experimentally. The InSb whiskers have shown rather high values of Seebeck coefficient exceeding the values of bulk materials by 2-3 times. Using a special method of heat transfer in the whisker joints, the thermal conductivity of the whisker was simulated. The obtained threshold on the temperature dependence of thermal conductivity for InSb whiskers and nanowires in the range of about 100 K connecting with phonon capture of charge carriers indicates high reliability of the data obtained. As a result, ZT parameter of InSb whiskers versus temperature in the temperature range 4.2-300 K was calculated. The obtained value of ZT parameter 0.15 at room temperature indicates a possibility of the whisker use for thermal converters design.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
1
Greece Greece
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
Japan Japan
251
Lithuania Lithuania
1
Portugal Portugal
1
Ukraine Ukraine
1258
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
4286

Downloads

China China
1
Germany Germany
1
Japan Japan
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
2767
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
4287

Files

File Size Format Downloads
Druzhinin_jnep_5_2020.pdf 296,15 kB Adobe PDF 7059

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.