Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/81203
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Improving the Physical Model of GaAs Solar Cells
Other Titles Вдосконалення фізичної моделі сонячних елементів на основі GaAs
Authors Zaitsev, R.V.
Kirichenko, M.V.
ORCID
Keywords фотоелектричні перетворювачі
GaAs
ККД
поверхнева рекомбінація
повторне поглинання фотонів
photovoltaic converters
solar cells
efficiency
surface recombination
photon recycle
Type Article
Date of Issue 2020
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/81203
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation R.V. Zaitsev, M.V. Kirichenko, J. Nano- Electron. Phys. 12 No 6, 06015 (2020). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06015
Abstract Задля широкомаштабного використання сонячних елементів на основі GaAs необхідно підвищувати їх ефективність та знижувати витрати на їх виготовлення. Існуюча модель, що описує процеси у напівпровідниковому матеріалі, має значні спрощення та не враховує цілий ряд значних процесів. У роботі розглянута проблема оптимізації процесів у сонячних елементах на основі арсеніду галію, запропоновано врахування механізмів променевої, поверхневої рекомбінації, котрі мають суттєвий вплив і раніше в рамках фізичної моделі не розглядалися. Також у роботі розглянуто методи врахування повторного поглинання фотонів, вплив якого у сонячних елементах на основі GaAs враховується шляхом побудови моделі повторного поглинання фотонів. За основу запропонованої моделі обрано модель повторного поглинання фотонів Штейнера, яка успішно застосовується для моделювання одноперехідних сонячних батарей GaAs з урахуванням деяких граничних умов щодо врахування процесів рекомбінації на внутрішніх поверхнях приладу. Розрахунки з використанням запропонованої моделі дозволили запропонувати оптимізоване рішення тонких сонячних елементів на основі GaAs з хорошим дзеркалом на задній стороні та зниженою поверхневою рекомбінацією.
For large-scale GaAs-based solar cells using, it is necessary to increase their efficiency and reduce the cost of their manufacture. The existing model, which describes the processes in the semiconductor material, has significant simplifications and does not take into account a number of significant processes. The article considers the problem of processes in gallium arsenide based solar cells optimization, proposes to take into account the mechanisms of radiation, surface recombination, which have a significant impact and have not been previously considered in the physical model. The article also considers methods for taking into account the photon reabsorption, the effect of which in GaAs based solar cells is taken into account by building a model of photon reabsorption. The proposed model is based on the Steiner photon absorption model, which is successfully used for modeling single-junction GaAs solar cells, taking into account some boundary conditions considering recombination processes on the device inner surfaces. Calculations using the proposed model allowed us to offer an optimized solution of thin GaAs based solar cells with a good back surface mirror and reduced surface recombination.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
China China
736
France France
1
Germany Germany
629906126
Greece Greece
1
India India
30317
Ireland Ireland
255847
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1
South Korea South Korea
1257795798
Ukraine Ukraine
349691745
United Kingdom United Kingdom
12973498
United States United States
1231354742
Unknown Country Unknown Country
69477363
Vietnam Vietnam
1571

Downloads

Canada Canada
1
China China
-1088778265
Germany Germany
30315
India India
1
Ireland Ireland
812642
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
195458588
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
-743479547
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Zaitsev_jnep_6_2020.pdf 427,28 kB Adobe PDF -1635956259

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.