Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/83216
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Morphological and Electrical Characterization of SiNWs Synthesized by Electroless Metal Assisted Chemical Etching Method
Other Titles Морфологічні та електричні характеристики SiNWs, синтезованих методом безелектричного хімічного травлення за допомогою металів
Authors Rabina, Bhujel
Sadhna, Rai
Utpal, Deka
Joydeep, Biswas
Bibhu, Prasad Swain
ORCID
Keywords SiNWs
EMACE
SEM
вольт-амперні характеристики
I-V characteristics
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/83216
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Rabina Bhujel, Sadhna Rai, et al., J. Nano- Electron. Phys. 13 No 2, 02003 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(2).02003
Abstract Кремнієві нанодроти (SiNWs) синтезували, застосовуючи двоступеневий метод безелектричного хімічного травлення за допомогою металів (EMACE), беручи срібло як металевий каталізатор. Вплив концентрації AgNO3 на ріст SiNWs вивчали з використанням скануючих електронно-мікроскопічних зображень SiNWs. Підтвердження кремнієвого матеріалу було здійснено за допомогою рентгенівської дифракції (XRD) та енергодисперсійного рентгенівського (EDS) спектра SiNWs. Як було виявлено, оптимальна концентрація, необхідна для росту SiNWs, становила 20 і 25 мМ розчину AgNO3. Як очікувалося, вольт-амперні характеристичні криві для SiNWs показують діодні характеристики з утворенням випрямляючого переходу. Струм, отриманий в області зворотного зміщення, є дуже низьким, порядку 10 – 7, для SiNWs, синтезованих з використанням 20 мМ AgNO3 порівняно з використанням 25 мМ AgNO3, що пояснює його перевагу в застосуванні фотодіодів надмалих розмірів з високою чутливістю. Тому дана дослідницька робота показує різноманітність застосувань SiNWs в електротехніці, оптоелектроніці, а також в датчиках завдяки дуже хорошій електропровідності та діодним характеристикам.
Silicon nanowires (SiNWs) were synthesized by following two-step electroless metal-assisted chemical etching method (EMACE) by taking silver as the metal catalyst. The effect of AgNO3 concentration on the growth of SiNWs was studied with the help of scanning electron microscopic (SEM) images of SiNWs. The confirmation of the Si material was done with the help of X-ray diffraction (XRD) and energy dispersive X-ray (EDS) spectrum of SiNWs. As studied the optimum concentration required for the growth of SiNWs was 20 and 25 mM of AgNO3 solution. The I-V characteristics curves for SiNWs show diode characteristics as expected with the formation of a rectifying junction. The current obtained in the reverse biased region is very low of the order of 10 – 7 for SiNWs synthesized by using 20 mM AgNO3 concentration as compared to the using 25 mM AgNO3 prepared SiNWS, which attributes its superiority in the application of ultra-small sized photodiodes with high sensitivity. Therefore, the current research work shows the variety of applications of SiNWs in electrics, optoelectronics as well as in sensors due to their very good electrical conductivity and their diode characteristics.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Belgium Belgium
1
Brazil Brazil
1
Canada Canada
1
China China
1
Germany Germany
6237
Greece Greece
1
India India
509662354
Iraq Iraq
1
Ireland Ireland
21097
Italy Italy
1469
Japan Japan
151241034
Kazakhstan Kazakhstan
1
Lithuania Lithuania
1
Malaysia Malaysia
184919
South Korea South Korea
2848255
Taiwan Taiwan
113554
Ukraine Ukraine
51923232
United Kingdom United Kingdom
840204
United States United States
1736167347
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
275

Downloads

Canada Canada
1466
China China
151241032
France France
1
Germany Germany
8544686
India India
1736167347
Iraq Iraq
89
Ireland Ireland
42191
Italy Italy
1
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
8544686
United Kingdom United Kingdom
184915
United States United States
1736167349
Unknown Country Unknown Country
-1841957309
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Rabina_Bhujel_jnep_2_2021.pdf 502.75 kB Adobe PDF 1798936458

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.