Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84485
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Графенові транзистори в якості підсилювального елементу
Other Titles Graphene transistors as an amplifying element
Authors Внучков, Є.О.
Keywords Графеновий транзистор
Графеновый транзистор
Graphene transistor
заборонена зона
запретная зона
band gap
двошаровий графен
двухслойный графен
two-layer graphene
Type Bachelous Paper
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84485
Publisher Сумський державний університет
License Copyright not evaluated
Citation Внучков Є.О. Графенові транзистори в якості підсилювального елементу [Текст]: робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра; спец. 171 – Електроніка /Є.О.Внучков; наук. кер. О.І.Федчун. – Суми: СумДУ, 2021. – 31 с.
Abstract Об’єктом дослідження даної кваліфікаційної роботи є графенові транзистори в якості підсилювального елементу. Мета роботи полягає у вивченні принципів дії, конструкції, технологічних параметрів графенових транзисторів в якості підсилювального елементу аналізу областей і специфіка використання. У цій роботі розглядається поточний стан графенових транзисторів як потенційного доповнення до кремнієвої технології CMOS. Короткий огляд методів виробництва графену та метрології супроводжується введенням макроскопічних графенових польових транзисторів (FET).
Appears in Collections: Кваліфікаційні випускні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)

Views

China China
55
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
48
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
51

Downloads

France France
61
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
62
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1

Files

File Size Format Downloads
Vnuchkov_Graphene_transistor.pdf 610,91 kB Adobe PDF 126

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.