Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84521
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Приладово-технологічне моделювання напівпровідникових діодів
Other Titles Device and technological simulation the semiconductor diodes
Authors Панчошний, О.О.
ORCID
Keywords Напівпровідниковий діод
Полупроводниковый диод
Semiconductor diode
вольт-амперні характеристики
вольт-амперные характеристики
current-voltage characteristics
комп’ютерне моделювання
компьютерное моделирование
computer simulation
SILVACO TCAD
Type Bachelous Paper
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84521
Publisher Сумський державний університет
License Copyright not evaluated
Citation Панчошний О.О. Приладово-технологічне моделювання напівпровідникових діодів [Текст]: робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра; спец. 171 – електроніка /О.О. Панчошний ; наук. кер. І.П. Бурик . – Суми: СумДУ, 2021. – 37 с.
Abstract Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є принцип дії, структура та робочі характеристики напівпровідникових діодів. Мета роботи полягає у вивчені фізичних моделей та структур діодів, відпрацюванні алгоритмів їх комп’ютерного моделювання, аналізу отриманих експериментальних даних та відтворення процесів роботи приладу. При виконанні роботи для розробки та створення напівпровідникових діодних структур використовувалися методи комп’ютерного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У результаті проведених досліджень було виконано ряд моделювань різних діодних структур, набуто навичок роботи з програмним кодом фізичного опису моделі напівпровідникового елементу, порівняно можливості та зручність програмних середовищ. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд сучасних систем програмного моделювання та їх можливостей. У другому розділі описано методи розробки, опису фізичної моделі діода, алгоритм створення віртуальної моделі в програмному середовищі та отримання результатів у зручному для сприйняття вигляді. У третьому розділі було спроектовано віртуальні моделі описаних діодних структур, проаналізовано та порівняно результати моделювання з реальними відомостями про діоди.
Appears in Collections: Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)

Views

Argentina Argentina
1
Bangladesh Bangladesh
1
France France
1
Germany Germany
32850
Greece Greece
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
Ireland Ireland
27334861
Lithuania Lithuania
1
Poland Poland
606
Singapore Singapore
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
16885142
United Kingdom United Kingdom
288527
United States United States
54665553
Unknown Country Unknown Country
1

Downloads

Canada Canada
1
France France
1
Germany Germany
288524
India India
1
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1
Russia Russia
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
99207547
United Kingdom United Kingdom
23276
United States United States
99207550

Files

File Size Format Downloads
Panchoshnyi_Device_and_technological.pdf 583.99 kB Adobe PDF 198726905

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.