Особливості процесу іонної імплантації як базової інтегральної технології

Abstract

Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є процес іонної імплантації та його застосування в технології виготовлення елементів електроніки. Мета роботи полягає у вивчені технології іонної імплантації та її застосування в електронному приладобудуванні, відпрацюванні алгоритмів комп’ютерного моделювання, аналізу експериментальних даних та симуляції процесів. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено поняття іонної імплантації, особливості процесу та дефекти, що утворюються. У другому розділі розглядається пакет програмного середовища Silvaco TCAD та особливості методики моделювання. У третьому розділі було проведено моделювання процесу іонної імплантації з урахуванням різних ступенів дефектності мішеней та зроблено аналіз отриманих результаті в рамках моделей Гауса, Пірсона та SDVP.