Особливості процесу окиснення як базової інтегральної технології

Корольов, В.С.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84578

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Особливості процесу окиснення як базової інтегральної технології
Other Titles	Oxidation features as a basis integration technology
Authors	Корольов, В.С.
ORCID
Keywords	окиснення окисление oxidation діоксин кремнію диоксид кремния silicon dioxide інтегральна мікросхема интегральная микросхема integrated circuit комп’ютерне моделювання компьютерное моделирование computer simulation
Type	Bachelous Paper
Date of Issue	2021
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84578
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Корольов, В.С. Особливості процесу окиснення як базової інтегральної технології [Текст]: робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра; спец.: 171 – електроніка / В.С. Корольов; наук. кер. І.П. Бурик. – Суми: СумДУ, 2021. – 31 с.
Abstract	Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є процес окиснення матеріалів для виготовлення елементів мікросхем. Мета роботи полягає у дослідженні впливу умов окиснення матеріалів на формування структури елементів мікро- та наноелектроніки при використанні комп’ютерного моделювання. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд сучасних методів окиснення кремнія. У другому розділі розглядається методика комп’ютерного моделювання процесу окиснення за допомогою програмного пакету Silvaco TCAD. У третьому розділі наведено результати моделювання впливу параметрів середовища на процес окиснення кремнію, а також поєднання стиків в локальному окисленні канавки (SILO).
Appears in Collections:	Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)