Optical and Dispersion Parameters of the Al-doped ZnO Thin Film

Abstract

Представлені результати досліджень дисперсії параметрів та оптичних функцій для тонкої плівки оксиду цинку, легованої алюмінієм. Осадження тонких плівок ZnO, легованих Al (2,5 мас. %), виконувалось методом високочастотного магнетронного напилення. Тонка плівка ZnO:Al кристалізується в гексагональній структурі (тип структури ZnO, просторова група P63mc (No. 186), з параметрами елементарної комірки a = 3.226(2) Å і c = 5.155(6) Å (V = 46.49 (6) Å3). Спектри оптичного пропускання (300-2500 нм) показали, що тонка плівка ZnO:Al має високу оптичну якість, а значення величини оптичної ширини забороненої зони (3,26 еВ) є дуже близьким до нелегованих зразків. Встановлено спектральну поведінку оптичних функцій: показника заломлення, коефіцієнта екстинкції, показника поглинання, діелектричних функції та оптичної провідності. Встановлено значення енергії Урбаха та залежність сили осцилятора від оптичної ширини забороненої зони та концентрації легуючого елемента. Спостерігається збільшення енергії Урбаха для легованої Al тонкої плівки ZnO порівняно з нелегованою. Для досліджуваної тонкої плівки виявлено майже подвійне збільшення значення сили оптичного осцилятора в порівняні із нелегованими зразками. Вплив легування алюмінієм тонких плівок ZnO на динаміку зміни оптичної рухливості, оптичного опору та часу релаксації встановлено вперше для досліджуваної сполуки. Також, визначається значення плазмової частоти та її кореляція з концентрацією носіїв. Легування тонких плівок ZnO алюмінієм призводить до збільшення оптичної рухливості, часу релаксації та плазмової частоти, що було виявлено порівнянням з відомими даними для нелегованих тонких плівок ZnO. Виявлені оптичні властивості досліджуваної тонкої плівки вказують на перспективи її практичного використання як матеріалу для оптоелектронних пристроїв.

The results of studies of the dispersion of optical functions and optical constants for zinc oxide thin film doped with aluminum are presented. The deposition of Al-doped ZnO (2.5 wt. %) thin films is performed by magnetron sputtering. Al-doped ZnO thin film crystallizes in a hexagonal structure (structure type ZnO, space group P63mc (No. 186) with unit-cell dimensions a = 3.226(2) Å and c = 5.155(6) Å (V°= 46.49(6) Å3). Optical transmittance spectra (300-2500 nm) shows that the Al-doped ZnO thin film is of high optical quality, and the value of the optical band gap (3.26 eV) is very close to undoped samples. The study of optical functions is performed on the basis of the experimentally measured transmission spectrum using the bypass method. The spectral behavior of optical functions, such as refractive index, extinction coefficient, absorption index, dielectric functions and optical conductivity, is established. The value of Urbach energy and the dependence of oscillator strength on the size of the band gap and the concentration of doping element are determined. It is observed an increase in Urbach energy for the Al-doped ZnO thin film in comparison to the undoped ones. An almost twofold increase in the optical oscillator strength value is revealed for the thin film studied. The influence of aluminum doping on the dynamic change of optical mobility, optical resistance and relaxation time is established for the first time for the studied compound. The value of the plasma frequency is also determined and its correlation with the carrier density is defined. The doping of ZnO thin films with aluminum leads to an increase in optical mobility, relaxation time and plasma frequency that is revealed by comparison with reference data for the undoped ZnO. Due to good optical properties, this thin film is a good candidate as a material for optoelectronic devices.