Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85287
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | High Pressure Growth Approach for the Preparation of Reduced Graphene Oxide and its Investigation Using Raman Spectroscopy |
Other Titles |
Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії |
Authors |
Thakran, Mamta
Kumar, Sumeet Phogat, Rohit Ray, S.K. Brajpuriya, R. Rana, Abhimanyu Singh Kumar, Brijesh |
ORCID | |
Keywords |
вирощування при високому тиску модифікований метод Хаммера Раманівська спектроскопія оксид графену відновлений оксид графену high pressure growth modified Hummers method Raman spectroscopy graphene oxide reduced graphene oxide |
Type | Article |
Date of Issue | 2021 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85287 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | Mamta Thakran, Sumeet Kumar, Rohit Phogat, et al., J. Nano- Electron. Phys. 13 No 4, 04015 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04015 |
Abstract |
Похідні графену демонструють надзвичайні механічні, оптичні та електронні властивості, які викликали високий науковий інтерес, і мають величезний потенціал для використання у різних додатках. Раманівська спектроскопія є універсальним інструментом для характеристики та ідентифікації
хімічних та фізичних властивостей похідних графену. Ми описуємо основні процеси раманівського розсіювання режимів першого (G) та другого порядку (D, G*, 2D, G + D, 2G), які мають місце в оксиді
графену (GO) та відновленому оксиді графену (r-GO), підготовлених методом вирощування при високому тиску. Для r-GO лінії розширені і трохи зміщені в червону область для всіх смуг порівняно з GO
через розвинення деформації під час вирощування при високому тиску (гідротермальний процес) в
результаті видалення функціональних груп кисню. Обговорюється нормалізоване відношення інтенсивностей (ID/IG) для GO та r-GO. В обох зразках відношення ID/IG є високим, що свідчить про малі розміри GO та r-GO та наявність турбостратичного вуглецю та невпорядкованих структур. Зіставлення
піків 2D-смуги демонструє чотири Лоренцівські піки, а інтенсивність 2D-смуги у порівнянні із Gсмугою сильно зменшується, що підтверджує, що ми успішно синтезували двошаровий/тришаровий
GO та r-GO. Для GO та r-GO розраховано розмір кристалітів (La). Існування 2D-смуги підтверджує, що
ми успішно синтезували високоякісні GO та r-GO. Graphene derivatives show extraordinary mechanical, optical, and electronic properties, which gave rise to high scientific interest and huge potential for a variety of applications. Raman spectroscopy is a versatile tool to characterize and identify the chemical and physical properties of graphene derivatives. We describe essential Raman scattering processes of the first- (G) and second-order (D, G*, 2D, G + D, 2G) modes in GO and r-GO prepared by a high-pressure growth approach. In r-GO, the linewidth is broadened and slightly red-shifted in all the bands, in comparison with GO because of strain development during the high-pressure growth approach (hydrothermal process) as a result of removal of oxygen functionalities. A normalized intensity ratio (ID/IG) for GO and r-GO is discussed. In both the samples, ID/IG is high which indicates the small size of GO and r-GO and the presence of turbostratic carbon and disordered structures. The peak fitting of the 2D band exhibits four Lorentzian peaks, and the intensity of the 2D band with respect to the G band is strongly reduced, which confirms that we have successfully synthesized bilayer/ trilayer GO and r-GO. For GO and r-GO, the crystallite size (La) is calculated. The existence of the 2D band confirms that we have successfully synthesized high-quality GO and r-GO. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
![Australia](/flags/au.gif)
-1735518710
![Brazil](/flags/br.gif)
1
![China](/flags/cn.gif)
-1757909966
![France](/flags/fr.gif)
-2122832507
![Germany](/flags/de.gif)
1568325402
![Hong Kong SAR China](/flags/hk.gif)
2071219675
![India](/flags/in.gif)
1337149391
![Ireland](/flags/ie.gif)
1568325403
![Italy](/flags/it.gif)
1
![Japan](/flags/jp.gif)
1
![Lithuania](/flags/lt.gif)
38653898
![Mexico](/flags/mx.gif)
603079112
![Norway](/flags/no.gif)
1
![Singapore](/flags/sg.gif)
1
![South Korea](/flags/kr.gif)
250958212
![Spain](/flags/es.gif)
1
![Sweden](/flags/se.gif)
1
![Taiwan](/flags/tw.gif)
603079102
![Ukraine](/flags/ua.gif)
850637900
![United Kingdom](/flags/gb.gif)
-1735518709
![United States](/flags/us.gif)
49302281
![Unknown Country](/flags/--.gif)
850637899
![Vietnam](/flags/vn.gif)
134525552
Downloads
![Cambodia](/flags/kh.gif)
1
![Canada](/flags/ca.gif)
1
![China](/flags/cn.gif)
1496111756
![France](/flags/fr.gif)
1
![Germany](/flags/de.gif)
603079111
![India](/flags/in.gif)
603079108
![Ireland](/flags/ie.gif)
20090034
![Italy](/flags/it.gif)
1
![Lithuania](/flags/lt.gif)
1
![Mexico](/flags/mx.gif)
1382
![Singapore](/flags/sg.gif)
1394
![South Korea](/flags/kr.gif)
1
![Taiwan](/flags/tw.gif)
1
![Ukraine](/flags/ua.gif)
250958211
![United Kingdom](/flags/gb.gif)
1
![United States](/flags/us.gif)
2071219676
![Vietnam](/flags/vn.gif)
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Mamta_Thakran_jnep_4_2021.pdf | 521.67 kB | Adobe PDF | 749573385 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.