Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85295
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Study of the Effect of Absorber Layer Thickness of CIGS Solar Cells with Different Band Gap Using SILVACO TCAD
Other Titles Вивчення впливу товщини шару поглинача сонячних елементів на основі CIGS з різною шириною забороненої зони за допомогою SILVACO TCAD
Authors Laoufi, Amina Maria
Dennai, B.
Kadi, O.
Fillali, M.
Keywords сонячний елемент
CIGS
ширина забороненої зони
SILVACO
товщина
продуктивність
solar cell
band gap
thickness
performance
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85295
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Amina Maria Laoufi , B. Dennai, O. Kadi, M. Fillali, J. Nano- Electron. Phys. 13 No 4, 04018 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04018
Abstract У роботі ми змоделювали тонкоплівковий сонячний елемент на основі міді, індію, галію та селеніду (CIGS) за допомогою симулятора SILVACO Atlas. Моделювання електричних характеристик та квантової ефективності проводилось при освітленні AM1,5 та температурі 300 К. У роботі ми змінили ширину забороненої зони CuInxGa1 – xSe, щоб оптимізувати ефективність сонячного елементу. Ми отримали його, варіюючи товщину шару поглинача з різними молярними частками x, які впливають на ефективність сонячного елементу. Результат моделювання показує, що максимальна ефективність 16,62 % була досягнута при ширині забороненої зони 1,67 еВ і товщині 3 мкм, густині струму короткого замикання 29,293 мА/см2, напрузі холостого ходу 1,29 В і коефіцієнта заповнення 87,79 %. Отримані результати показують, що запропоновану конструкцію можна розглядати як потенційного кандидата для високоефективних фотоелектричних застосувань.
In this paper, we have simulated a copper indium gallium selenide (CIGS) thin-film solar cell using a physically based two-dimensional device simulator SILVACO Atlas. The simulation of electrical characteristics and quantum efficiency was under AM1.5 illumination and a temperature of 300 K. In this work, we changed the band gap of CuInxGa1 – xSe to optimize the efficiency of the solar cell. We obtained it by varying the absorber layer thickness with different mole fractions x that affects the efficiency of the solar cell. The simulation result shows that the maximum efficiency of 16.62 % was achieved with a band gap of 1.67 eV and a thickness of 3 µm, a short-circuit current density of 29.293 mA/cm2, an open-circuit voltage of 1.29 V, and a fill factor of 87.79 %. The obtained results show that the proposed design can be considered as a potential candidate for high performance photovoltaic applications.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
132
Singapore Singapore
1
Sweden Sweden
1
Taiwan Taiwan
1
Ukraine Ukraine
121
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
393
Unknown Country Unknown Country
1

Downloads

Bangladesh Bangladesh
127
Cameroon Cameroon
1
China China
1
Germany Germany
1
Iran Iran
1
Japan Japan
1
Mexico Mexico
401
Singapore Singapore
400
Ukraine Ukraine
115
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
654

Files

File Size Format Downloads
Amina_Maria_Laoufi_jnep_4_2021.pdf 430,37 kB Adobe PDF 1703

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.