Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85297
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Photoelectric and Electrical Properties of Composite Materials Based on n-InSe and Graphite
Other Titles Фотоелектричні та електричні властивості композитних матеріалів на основі n-InSe і графіту
Authors Kaminskii, V.M.
Boledzyuk, V.B.
Vodopyanov, V.M.
Savitskii, P.I.
Zaslonkin, A.V.
Zapolovskyi, M.V.
Keywords селенід індію
терморозширений графіт
композитний матеріал
фоточутливість
електропровідність
indium selenide
thermoexpanded graphite
composite material
photosensitivity
electrical conductivity
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85297
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation V.M. Kaminskii, V.B. Boledzyuk, et al., J. Nano- Electron. Phys. 13 No 4, 04020 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04020
Abstract В роботі приведені результати досліджень композитних матеріалів та структур, виготовлених на основі шаруватих напівпровідників та графіту. Ці матеріали мають схожу кристалічну структуру та завдяки своїм унікальним фізичним властивостям є перспективними для електроніки та фотоелектроніки. Тому ідея виготовлення на їх основі нових композитів та структур є цілком очевидною. Ми намагалися зробити деякі кроки в цьому напрямку використовуючи різні технологічні операції. Було виготовлено три типи дослідних об’єктів: пресовані таблетки з порошків InSe та терморозширеного графіту; плівки із водної суспензії терморозширеного графіту, які наносились на свіжосколену поверхню (0001) InSe; структури графіт/InSe, одержані шляхом вакуумного напилення. Досліджено їх фотоелектричні та електричні властивості. Встановлено значне зростання електропровідності композитного матеріалу InSe-терморозширений графіт по відношенню до вихідного порошку InSe. Це означає, що в цьому матеріалі електричний струм протікає по каналах, утворених графітом, а вибраний тиск, при якому пресувались зразки, забезпечує добрий контакт між окремими кристалітами. Фоточутливість отриманих матеріалів і структур визначається оптичними властивостями InSe. Діапазон фоточутливості композитного матеріалу InSe-терморозширений графіт є меншим ніж в InSe чи структурах графіт/InSe за рахунок розсіюванням на границях зерен.
This paper presents the results of research of composite materials and structures made on the basis of layered semiconductors and graphite. These materials have a similar crystalline structure and due to their unique physical properties are promising for electronics and photoelectronics. Therefore, the idea of making new composite materials and structures based on them is quite obvious. We have tried to take some steps in this direction using various technological operations. Three types of samples were prepared: pressed tablets of mixed powders of InSe and thermoexpanded graphite; graphite films from aqueous suspension of thermoexpanded graphite, which were deposited onto fresh cleavage InSe (0001) surface, and graphite/InSe structures obtained by vacuum deposition. Their photoelectric and electrical properties have been investigated. A significant increase in the electrical conductivity of InSe-thermoexpanded graphite composite material relative to the initial InSe powder has been found. This means that in this material an electric current flows through the channels formed by graphite, and the selected pressure at which the samples were prepared provides good contact between individual crystallites. The photosensitivity of the obtained materials and structures is determined by the optical properties of InSe. The photosensitivity range of InSe-thermoexpanded graphite composite material is smaller than that of InSe or structures due to scattering at grain boundaries.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Azerbaijan Azerbaijan
19086242
China China
438
Germany Germany
1
Ireland Ireland
101790
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Taiwan Taiwan
1
Ukraine Ukraine
19086243
United Kingdom United Kingdom
1080983
United States United States
148074869
Unknown Country Unknown Country
3638195
Vietnam Vietnam
2314

Downloads

Azerbaijan Azerbaijan
1
Canada Canada
1
China China
1
Germany Germany
1080985
Ireland Ireland
58338
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
446
Taiwan Taiwan
1
Ukraine Ukraine
10624101
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
148074870
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Kaminskii_jnep_4_2021.pdf 269,04 kB Adobe PDF 159838748

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.