Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85305
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Influence of the Degree of Atomic Hydrogen Passivation of Electrically Active Centers in Cd1 – xZnxTe on the Resolution of Optical Recording of Images with n-p-i-m Nanostructures
Other Titles Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах
Authors Brytan, V.B.
Peleshchak, R.M.
Uhrun, Y.O.
Seneta, M.Ya.
Tadeush, O.H.
ORCID
Keywords монокристал Cd1 – xZnxTe
роздільна здатність
пасивація
деформація
електростатично-деформаційна взаємодія
Cd1 – xZnxTe single crystal
resolution
passivation
deformation
electrostatic-deformation interaction
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85305
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation V.B. Brytan, R.M. Peleshchak, Y.O. Uhrun, et al., J. Nano- Electron. Phys. 13 No 4, 04024 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04024
Abstract У роботі запропоновано електростатично-деформаційну модель пасивації атомарним воднем електрично-активних центрів виду дефектів стиску (розтягу) у напівпровідниках Cd1 – xZnxTe. Встановлено, що ефект підсилення пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe має місце у випадку коли концентрація атомарного водню NH не перевищує концентрацію акцепторів NA (NH ≤ NA), а послаблення ефекту пасивації спостерігається коли концентрація атомарного водню NH є набагато більшою за концентрацію акцепторів NA (NH ≥ NA). Отримано вираз для роздільної здатності Ri оптичнореєструючих наноструктур метал-діелектрик-напівпровідник Cd1 – xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1) та розраховано значення роздільної здатності для непасивованого напівпровідникового матеріалу Cd0.8Zn0.2Te та для пасивованого в атмосфері водню, яке становить R1 = 6682 та R2 = 17423 відповідно. Запропоновано спосіб розширення спектрального діапазону запису оптичної інформації на основі n-p-i-m наноструктур за допомогою зміни складу (0 ≤ x ≤ 1) твердого розчину Cd1 – xZnxTe.
An electrostatic-deformation model of atomic hydrogen passivation of electrically active centers of the type of compression defects in Cd1 – xZnxTe semiconductors is proposed. It is found that the effect of increasing passivation of electrically active centers in Cd1 – xZnxTe occurs when the concentration of atomic hydrogen NH does not exceed the concentration of acceptors NA (NH ≤ NA), and weakening of the passivation effect is observed when the concentration of atomic hydrogen NH is much higher than the concentration of acceptors NA (NH ≥ NA). The expression for the resolution Ri of optical-registering metal-dielectricsemiconductor nanostructures Cd1 – xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1) is obtained and the resolution value for nonpassivated as well as for passivated in the hydrogen atmosphere semiconductor material Cd0.8Zn0.2Te is calculated, which is R1 = 6682 and R2 = 17423, respectively. A method for expanding the spectral range of optical information recording based on n-p-i-m nanostructures by changing the composition (0 ≤ x ≤ 1) of the solid solution Cd1 – xZnxTe is proposed.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Argentina Argentina
1
China China
197276947
Germany Germany
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
Indonesia Indonesia
1
Ireland Ireland
634952706
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
36406791
United Kingdom United Kingdom
1546441
United States United States
394553542
Unknown Country Unknown Country
4904336
Vietnam Vietnam
1519

Downloads

Canada Canada
1
China China
394553541
France France
1
Germany Germany
24786678
India India
10764
Ireland Ireland
82865
Japan Japan
1269642291
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
634952712
Ukraine Ukraine
4904339
United Kingdom United Kingdom
197276948
United States United States
634952710
Unknown Country Unknown Country
394553542
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Brytan_jnep_4_2021.pdf 422.96 kB Adobe PDF -739250902

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.