Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85334
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Електропровідність і магнеторезистивні властивості шаруватих структур на основі Fe та SiO
Authors Pazukha, Iryna Mykhailivna  
Petrenko, Ruslan Mykolaiovych
Shkurdoda, Yurii Oleksiiovych
Lohvynov, Andrii Mykolaiovych
Pylypenko, Oleksandr Valeriiovych
Shchotkin, Vladyslav Volodymyrovych
Dolhov-Hordiichuk, Serhii Romanovych
Дехтярук, Л.В.
Keywords пошарова конденсація
електропровідність
термічний коефіцієнт опору
магнеторезистивні властивості
layer-by-layer condensation
electrical conduction
temperature coefficient of resistance
magnetoresistive properties
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85334
Publisher Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України
License Creative Commons Attribution 4.0 International License
Citation Електропровідність і магнеторезистивні властивості шаруватих структур на основі Fe та SiO / І. М. Пазуха, Р. М. Петренко, Ю. О. Шкурдода та ін. // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. — 2021. — Т. 19, № 1. — С. 35-43.
Abstract Представлено експериментальні результати щодо електропровідности та магнеторезистивних властивостей шаруватих структур на основі Fe та SiO, одержаних методою пошарового електронно-променевого осадження у вакуумі. Показано, що величина питомого опору залежить від ефективної товщини шарів Fe, що зумовлено розмірними ефектами у плівкових матеріалах. Магнеторезистивний ефект для свіжосконденсованих і відпалених шаруватих структур має анізотропний характер, а його величина не перевищує 0,1% за кімнатної температури.
The experimental results on electrical conductivity and magnetoresistive properties of layered structures based on Fe and SiO prepared by layer-bylayer electron-beam condensation method are presented. As demonstrated, the value of resistivity depends on the effective thickness of Fe layers. It is associated with the size-effect appearance in thin-film materials. For as-deposited and annealed structures, the magnetoresistive effect has anisotropic character, and its value does not exceed 0.1% at room temperature.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

China China
1
Germany Germany
1
Greece Greece
1
Ireland Ireland
2814
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
116
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
932
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1755

Downloads

Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
107
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1754

Files

File Size Format Downloads
Pazycha_et.al_electrical_conduction_2021.pdf 570,18 kB Adobe PDF 1864

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.