Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85428
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Magnetoresistive Properties of Multilayer Film Systems Based on Permalloy and Silver
Other Titles Магніторезистивні властивості багатошарових плівкових систем на основі пермалою та срібла
Authors Pazukha, Iryna Mykhailivna  
Shuliarenko, Denys Olehovych
Dolhov-Hordiichuk, Serhii Romanovych
Odnodvorets, Larysa Valentynivna
Keywords multilayer film systems
layer-by-layer condensation
magnetoresistive properties
thermal annealing
багатошарова плівкова система
пошарова конденсація
магніторезистивні властивості
відпалювання
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85428
Publisher Vasyl Stefanyk Precarpathian National University
License Creative Commons Attribution 4.0 International License
Citation PazukhaI., ShuliarenkoD., Dolgov-GordiichukS. and OdnodvoretsL. 2021. Magnetoresistive Properties of Multilayer Film Systems Based on Permalloy and Silver. Physics and Chemistry of Solid State. 22, 1 (Mar. 2021), 175-179. DOI:https://doi.org/10.15330/pcss.22.1.175-179.
Abstract In this paper, the experimental investigation focuses on the magnetoresistive properties of nanosized film systems. Their structure changes from layered to granular due to transition from bilayer FM/NM (FM is a ferromagnetic material, NM is a nonmagnetic material) to [FM/NM]n multilayer film at a constant total thickness of samples. As ferromagnetic and nonmagnetic materials were chosen permalloy Ni80Fe20 (Py) and Ag, respectively. It was demonstrated that the shape of the field dependences of magnetoresistance depends on the number of bilayer Py/Ag. For as-deposited [Py/Ag]n/S at n = 8, 16, the transition from the antiferromagnetic ordering of magnetic moments to ferromagnetic one occurs under an external magnetic field. As a result, the resistivity of the samples reduced, and the giant magnetoresistive effect was realized. The increase of the number of bilayers repeats from 2 to 16 at the unchanged total thickness of the system leads to the growth of the magnetoresistance from 0.1 % to 0.35 %. During annealing up to 600 K, the magnetoresistive effect is reduced, but it does not disappear completely.
У даній роботі експериментальні дослідження зосереджено на магніторезистивних властивостях нанорозмірних плівкових систем. Їх структура змінюється з пошарової до гранульованої за рахунок переходу від двошарової FM/NM (FM – феромагнітний матеріал, NM – немагнітний матеріал) до [FM/NM]n багатошарової плівкової системи за незмінної загальної товщини зразків. Як магнітний і немагнітний матеріали були обрані пермалоєвий сплав Ni80Fe20(Py) та Ag, відповідно. Показано, що форма польових залежностей магнітоопору залежить від кількості повторів бішару Py/Ag. Для свіжосконденсованих систем [Py/Ag]n/П при n=8, 16 відбувається перехід від антиферомагнітного до феромагнітного упорядкування магнітних моментів при прикладанні зовнішнього магнітного поля, що призводить до зменшення опору зразків і, як наслідок, до прояву ефекту гігантського магнітоопору. Збільшення кількості повторів бішару з 2 до 16 за незмінної загальної товщини системи призводить до зростання величини магнітоопору з 0,10 до 0,35%. У процесі відпалювання до 600K магніторезистивний ефект послаблюється, але не зникає повністю.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

China China
2339
Germany Germany
312
Lithuania Lithuania
1
New Zealand New Zealand
1
Sweden Sweden
5764
Ukraine Ukraine
154
United Kingdom United Kingdom
622
United States United States
126545
Vietnam Vietnam
14961

Downloads

Canada Canada
1
Germany Germany
2340
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
145
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
126546
Vietnam Vietnam
126544

Files

File Size Format Downloads
Pazukha_et.al_Magnetoresistive_Properties_2021.pdf 525,78 kB Adobe PDF 255578

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.