Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86502
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Distribution of Excess Charge Carriers in Bilateral Macroporous Silicon with Different Thicknesses of Porous Layers
Other Titles Розподіл нерівноважних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів
Authors Onyshchenko, V.F.
ORCID
Keywords двосторонній макропористий кремній
пористий кремній
надлишкові носії заряду
bilateral macroporous silicon
porous silicon
excess charge carriers
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86502
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation V.F. Onyshchenko, J. Nano- Electron. Phys. 13 No 6, 06010 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06010
Abstract У роботі представлена система рівнянь, яка описує розподіл надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів. Система містить рівняння, які є загальним розв’язком рівняння дифузії, записаного для монокристалічної підкладки та кожного з пористих шарів. Також вона містить рівняння, які описують граничні умови на двох поверхнях зразка двостороннього макропористого кремнію та на межах монокристалічної підкладки з макропористими шарами. Враховується, що світло розповсюджується по порах та освітлює монокристалічну підкладку через дно пор. Ми розрахували розподіл надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів за умови, коли надлишкові носії заряду генеруються світлом з довжиною хвилі 0,95 мкм та 1,05 мкм. При цих довжинах хвиль генерація надлишкових носіїв заряду була однорідною та неоднорідною по зразку, відповідно. Розрахунки проводились для випадків, коли один шар макропор мав товщину 100 мкм, а інший змінювався від нуля до 400 мкм. Показано, що в розподілі надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів спостерігаються один або два максимуми. Максимум може розташовуватися біля поверхонь, які освітлюються, або посередині монокристалічної підкладки. Максимуми зменшуються завдяки дифузії носіїв заряду до рекомбінаційних поверхонь. На розподіл надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів впливає рекомбінація надлишкових носіїв заряду на поверхні пор кожного макропористого шару та дифузія надлишкових носіїв заряду з підкладки до рекомбінаційних поверхонь в пористих шарах.
The paper presents a system of equations describing the distribution of excess charge carriers in bilateral macroporous silicon with different thicknesses of porous layers. The system contains equations, which are the general solution to the diffusion equation written for a monocrystalline substrate and each porous layer. Also, it contains equations describing the boundary conditions on two surfaces of a bilateral macroporous silicon sample and on the boundaries of a monocrystalline substrate with macroporous layers. It was taken into account that light propagates through the pores and illuminates the monocrystalline substrate through the bottom of the pores. We calculated the distribution of excess charge carriers in bilateral macroporous silicon with different thicknesses of porous layers, provided that excess charge carriers are generated by light with wavelengths of 0.95 and 1.05 µm. At these wavelengths, the generation of excess charge carriers was uniform and non-uniform over the sample, respectively. The calculations were carried out for the cases when one layer of macropores had a thickness of 100 µm, while the other varied from zero to 400 µm. It is shown that one or two maxima are observed in the distribution of excess charge carriers in bilateral macroporous silicon with different thicknesses of porous layers. The maximum can be located near surfaces that are illuminated by light or in the middle of a monocrystalline substrate. The maxima decrease due to the diffusion of charge carriers to the recombination surfaces. The distribution of excess charge carriers in bilateral macroporous silicon with different thicknesses of porous layers is affected by the recombination of excess charge carriers on the pore surface of each macroporous layer and the diffusion of excess charge carriers from the substrate to the recombination surfaces in porous layers.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
2942584
Finland Finland
75
France France
1
Germany Germany
1
Greece Greece
506
Ireland Ireland
10631
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
87661
United Kingdom United Kingdom
930546
United States United States
5884956
Unknown Country Unknown Country
87660
Vietnam Vietnam
503

Downloads

China China
930546
Germany Germany
3110
Lithuania Lithuania
1
Luxembourg Luxembourg
1
Norway Norway
1
Singapore Singapore
1
South Africa South Africa
1
South Korea South Korea
259869
Ukraine Ukraine
259869
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
5884960
Unknown Country Unknown Country
9945127
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Onyshchenko_jnep_6_2021.pdf 386.95 kB Adobe PDF 17283488

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.