Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86582
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Performance Analysis of Gate All Around (GAA) MOSFET at Cryogenic Temperature for the Sub-Nanometer Regime
Other Titles Аналіз продуктивності GAA MOSFET при кріогенній температурі для субнанометрового режиму
Authors Lakshmana Kumar, M.
Biswajit, Jena
Keywords MOSFET
кріогенний
CMOS
квантовий процесор
cryogenic
quantum processor
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86582
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation M. Lakshmana Kumar, Biswajit Jena, J. Nano- Electron. Phys. 13 No 6, 06034 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06034
Abstract У роботі розглядається GAA MOSFET n-типу з різними довжинами затвора від 90 до 12 нм. Температурно-залежне моделювання проводиться з метою детального дослідження електричних характеристик. Діапазон температур, використаний у роботі, варіюється від 6 до 700 К, включаючи кріогенну температуру, і досліджується поведінка GAA MOSFET як напівпровідникового пристрою наступного покоління для квантових обчислювальних систем. Реалізація апаратного квантового процесора потребує інтеграції CMOS-контролера та схеми інтерфейсу зчитування, яка працюватиме при кріогенній температурі (6 К). У роботі досліджується критична поведінка струму стоку при кріогенній температурі та при нормальній кімнатній температурі. Проводиться порівняльний аналіз для вивчення впливу температури на продуктивність приладу. Запропонований пристрій при кріогенній температурі може працювати належним чином і стати передовим пристроєм для майбутніх квантових обчислювальних систем.
In this work, an n-type gate all around (GAA) MOSFET with various gate lengths from 90 to 12 nm is considered for simulation. The temperature dependent simulation is carried out in order to investigate the electrical characteristics extensively. The temperature range used in this work varies from 6 to 700 K, including cryogenic temperature, and the behavior of the GAA MOSFET as a next generation semiconductor device for quantum computing systems is investigated. The implementation of a hardware-based quantum processor needs the integration of a CMOS controller and read-out interface circuit that will operate at cryogenic temperature (6 K). In this work, we investigate the critical behavior of the drain current at cryogenic temperature and normal room temperature. А comparative analysis is carried out to study the effect of temperature on the device performance. Тhe proposed device at cryogenic temperature can work properly and become a promising device for future quantum computing systems.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Finland Finland
154
Greece Greece
1125
India India
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1
Sweden Sweden
1
Taiwan Taiwan
1
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
5947
Unknown Country Unknown Country
159
Vietnam Vietnam
1127

Downloads

Germany Germany
800
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
803
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
8522
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Lakshmana_Kumar_jnep_6_2021.pdf 727,97 kB Adobe PDF 10129

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.