Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87645
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Quenching Effect on Mechanical Properties of In2Se2.7Sb0.3 Single Crystal
Other Titles Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3
Authors Piyush, J. Patel
Sandip, M. Vyas
Vimal, A. Patel
Himanshu, P.
Ravi, V.
Maunik, P. Jani
ORCID
Keywords метод Бріджмена
твердість за Віккерсом
розщеплення
загартування
Bridgman method
Vickers hardness
as-cleavage
quenching
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87645
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Piyush J. Patel, Sandip M. Vyas, et al., J. Nano- Electron. Phys. 14 No 2, 02001 (2022). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02001
Abstract Напівпровідникові сполуки III-VI є цікавими матеріалами для виготовлення таких приладів як детектори іонізуючого випромінювання, твердотільні електроди, іонні акумулятори, а також фоточутливі гетероструктури та сонячні елементи. Структурна складність сімейства In-Se спонукала нас до дослідження невивченого складу In2Se3 та його властивостей із легуванням сурмою (Sb). Метою даної роботи є вивчення впливу сурми на нову конфігурацію In2Se3. Потрійні напівпровідникові сполуки у вигляді монокристалів або тонких плівок викликають значний інтерес через свої структурні, оптичні та електричні властивості, які дозволяють їх широко використовувати в багатьох електронних і оптоелектронних пристроях. Оскільки світовий енергетичний ринок шукає застосування, які пропонують більш ефективні електронні системи, монокристали In2Se2.7Sb0.3, синтезовані за модифікованою вертикальною технікою Бріджмена, відкривають шлях для захоплюючих інновацій у твердотільних фотоелектричних системах та секторах чистої енергії. Ми виростили монокристал In2Se2.7Sb0.3 за методикою Бріджмена-Стокбаргера. Температурний градієнт системи підтримували на рівні 60 °С/см зі швидкістю росту 0,35 см/год. Випробування твердості має важливе значення для інтерпретації механічної поведінки матеріалів і корелює з іншими фізичними властивостями. Твердість до деформації вирощених кристалів залежить від міцності зчеплення та досконалості структури. Вимірювання мікротвердості розщеплених і загартованих зразків проводили за допомогою проекційного мікроскопа Віккерса. У статті результати досліджень обговорені та докладно викладені.
III-VI semiconductor compounds are interesting materials for the fabrication of such devices as ionizing radiation detectors, solid-state electrodes, ion batteries, as well as photosensitive heterostructures and solar cells. The structural complexity of In-Se family has motivated us to examine an unexplored composition (In2Se3) and its properties with antimony doping (Sb). The purpose of the present work is to study the influence of antimony on the novel configuration In2Se3. Ternary semiconductor compounds in the form of single crystals or thin films have attracted considerable interest because of their structural, optical and electrical properties, which allow them to be widely used in many electronic and optoelectronic devices. As the global energy market seeks applications that offer more efficient electronic systems, In2Se2.7Sb0.3 single crystals synthesized by the modified vertical Bridgeman technique pave the way for exciting innovations in solid-state photovoltaic systems and clean energy sectors. We have grown In2Se2.7Sb0.3 single crystal using the Bridgman-Stockbarger technique. The temperature gradient of the system was kept at 60 °C/cm with a growth rate of 0.35 cm/h. Hardness testing is of significant importance in interpreting the mechanical behavior of materials and correlates with other physical properties. Hardness to deformation of as-grown crystals depends on the bond strength and structural perfection. The microhardness measurements of ascleaved and quenched samples were made by using a Vickers projection microscope. In this paper, the results have been discussed and reported in detail.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
18488808
China China
1733302249
Denmark Denmark
188237
Finland Finland
69
Germany Germany
1
Greece Greece
150
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1022666
India India
1084755086
Iran Iran
1
Ireland Ireland
65476
Japan Japan
7504336
Lithuania Lithuania
1
New Zealand New Zealand
1
Singapore Singapore
-1591678416
South Korea South Korea
1
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
73952500
United Kingdom United Kingdom
36976251
United States United States
-152960261
Unknown Country Unknown Country
-152960262
Vietnam Vietnam
188235

Downloads

China China
-327107693
Germany Germany
18488811
India India
7504339
Ireland Ireland
1
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Serbia Serbia
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
221856132
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
-152960264
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
188236

Files

File Size Format Downloads
Piyush_jnep_2_2022.pdf 300 kB Adobe PDF -232030432

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.