Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87659
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Features of Low-Temperature GaAs Formation for Epitaxy Device Structures |
Other Titles |
Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв |
Authors |
Krukovskyi, S.I.
Arikov, V. Voronko, A.O. Antonyuk, V.S. |
ORCID | |
Keywords |
арсенід галію рідкоземельний елемент профіль розподілу носіїв заряду інтерфейс прилади терагерцового діапазону gallium arsenide rare-earth element profile of charge carrier distribution interface terahertz range devices |
Type | Article |
Date of Issue | 2022 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87659 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | S.I. Krukovskyi, V. Arikov, A.O. Voronko, V.S. Antonyuk, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 2, 02016 (2022). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02016 |
Abstract |
В статті представлені результати по особливостях формування низькотемпературного арсеніду галію під впливом комплексного легування рідкісноземельним елементом ітербієм та алюмінієм. Методом CV-профілометрії досліджені електрофізичні властивості епітаксійних шарів, а структурні характеристики – з використанням XRD. Показано, що за певних оптимальних концентрацій ітербію (3,0-
3,2·10 – 3 ат. %) та алюмінію (1·10 – 3 ат. %) можна отримувати структурно досконалі епітаксійні шари GaAs з низькою концентрацією носіїв, а модуляція швидкості зниження температури дозволяє отримати більш різку границю розділу шарів з різним рівнем легування. Такі шари можна використовувати в
складі фотодіодних чи НВЧ структур. Встановлено, що збільшення концентрації ітербію в розплаві
спричиняє погіршення структурних властивостей шарів, зумовлених генерацією додаткових дефектів,
що може бути використано для створення оптоелектронних пристроїв терагерцового діапазону. This article presents the results on the peculiarities of the formation of low-temperature gallium arsenide under the influence of complex doping with rare-earth elements ytterbium and aluminum. The electrophysical properties of the epitaxial layers were investigated by ECV profiling, and the structural characteristics using XRD. It is shown that at certain optimal concentrations of ytterbium ((3.0-3.2)·10 – 3 at. %) and aluminum (1·10 – 3 at %) it is possible to obtain structurally perfect GaAs epitaxial layers with a low concentration of carriers, and modulation of the rate of temperature decrease allows to obtain a sharper interface between layers with different doping levels. Such layers can be used in photodiode or microwave structures. It is established that an increase in the concentration of ytterbium in the melt causes deterioration of the structural properties of the layers due to the generation of additional defects, which can be used to create optoelectronic devices in the terahertz range. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Australia
1
China
236786901
Finland
74
France
1
Germany
9481591
Greece
90
Hong Kong SAR China
1
Ireland
578030
Japan
1
Lithuania
1
Nigeria
1
Ukraine
236786902
United Kingdom
4752164
United States
236786903
Unknown Country
67670558
Vietnam
88
Downloads
China
792843308
France
1
Germany
4752162
Japan
135341115
Lithuania
1
Malaysia
2588775
Poland
80
Singapore
1
Ukraine
33895329
United Kingdom
1
United States
792843310
Unknown Country
1
Vietnam
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Krukovskyi_jnep_2_2022.pdf | 330,25 kB | Adobe PDF | 1762264085 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.