Приладово-технологічне моделювання NanowireFET’s на основі деформованого кремнію

Abstract

Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є тривимірні структури польових транзисторів на основі деформованого кремнію та їх електричні характеристики. Мета роботи полягає у дослідженні впливу масштабування та квантових ефектів у каналах тривимірних транзисторів на основі деформованого кремнію на їх робочі характеристики. Одночасно зі зменшенням розмірів елементів інтегральних мікросхем вирішення теплових проблем пристроїв, що входять до їх складу набуває все більшої актуальності. Інтегральні схеми, що використовуються у військовій, автомобільній та атомній промисловості потребують високих робочих температур. Дослідження впливу різних факторів на самонагрівань FinFET пристроїв є перспективним. Проте наразі чисельних досліджень процесів самонагріву в тривимірних транзисторах типу FinFET недостатньо. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд FET технологій, яка використовується для виготовлення елементів інтегральних мікросхем. У другому розділі розглядаються методи побудови тривимірних структур транзисторів та їх вольт-амперних характеристик за допомогою програмного пакету Silvaco TCAD. У третьому розділі були спроектовані польові транзистори на основі деформованого кремнію та досліджені на вплив масштабування та температури на їх робочі характеристики.