Числове моделювання впливу температури на параметри сонячних елементів на основі кремнієвих нанодротів

Abstract

Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є фізичні основи принципу дії, структурні та робочі характеристики фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії на основі кремнієвих нанодротів. Мета роботи полягає у вивчені фізичних моделей сонячних елементів на основі кремнієвих нанодротів, алгоритмів їх комп’ютерного моделювання, аналізу отриманих експериментальних результатів. При виконанні роботи для розробки та створення структур сонячних елементів на основі кремнієвих нанодротів використовувалися методи комп’ютерного приладно-технологічного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У результаті проведених досліджень було виконано ряд моделювань структур фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії, набуто навичок роботи з транспортними моделями, зроблено висновки про особливості застосування таких елементів в сучасній мікроелектроніці. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків, У першому розділі наведено огляд фізичних основ принципу дії, особливостей будови кремнієвих фотогальванічних елементів. У другому розділі описано методи отримання кремнієвих структур, розробку та опис програми для моделі фотоелектричного перетворювача сонячної енергії на основі кремнієвих нанодротів. У третьому розділі аргументовано вибір транспортних моделей для p-i-n наноструктур, проаналізовано та порівняно результати моделювання з реальними характеристиками.